低電流駆動スポットサイズ・変換部付き半導体光アンプゲート
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概要
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光クロスコネクト用途等のマトリクス光スイッチのゲートエレメントとして半導体光アンプ(SOA: Semiconductor Optical Amplifier)が注目されている。ファイバカップラとのハイブリッド構成によりマトリクス光スイッチを構成する場合, 各ゲートには低消費電力とともにモジュール製造コストの低減が強く望まれる。モジュール製造の簡素化には, レンズ系を用いずにファイバーとSOAチップとを直接光結合することが不可欠である。そこで今回, フラット端面SMFと良好な光結合するために, 導波路の光スポット径を拡大させるテーパ構造付きの1.55μm帯SOAを開発した。これにより光結合および利得特性とも良好な結果が得られたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
山口 昌幸
NEC光エレクトロニクス研究所
-
畠山 大
NECシステムデバイス研究所
-
小松 啓郎
Nec
-
浜本 貴一
NEC光エレクトロニクス研究所
-
小松 啓郎
NEC光エレクトロニクス研究所
-
小松 啓郎
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
山口 昌幸
NEC化合物デバイス事業部
-
北村 昌太郎
NEC 化合物デバイス(事)
-
北村 昌太郎
NEC光エレクトロニクス研究所
-
畠山 大
NEC光エレクトロニクス研究所
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