S字形状活性層による SSC 付き光アンプゲートの消光比向上
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概要
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光クロスコネクト等に用いられるマトリクス光スイッチの光ゲートエレメントとして、光増幅機能を有した小型で低消費電力の半導体光アンプ (SOA)が注目されている。前回、多チャンネル化に対応して、フラット端 SMF と簡易光結合できるスポットサイズ変換部(SSC)付き SOA を報告した。ファイバ間利得 0dB のゲート動作を注入電流 30mA 以下で実現できる低消費電力特性を得たが、0mA-動作電流(30mA)間の消光比が 30dB 程度と小さいことが問題であった。マトリクス光スイッチのゲートとしては、例えぱ8×8スイッチでコヒーレントクロストークによるペナルティーを 1dB 以下とするには消光比 40dB 以上が必要である。消光比劣化の原因は、活性層を伝搬しない非導波光が、クラッド層や半導体基板を透過しファイバ間で直接結合するためである。今回、活性層を S字 に形成することで非導波光のファイバ間での直接結合を避け、消光比 50dB 以上を有する 1.55μm 帯 SSC-SOA を実現したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
山口 昌幸
NEC光エレクトロニクス研究所
-
畠山 大
NECシステムデバイス研究所
-
小松 啓郎
Nec
-
佐々木 達也
Necシステムデバイス研究所
-
佐々木 達也
NEC光エレクトロニクス研究所
-
小松 啓郎
NEC光エレクトロニクス研究所
-
小松 啓郎
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
山口 昌幸
NEC化合物デバイス事業部
-
北村 昌太郎
NEC 化合物デバイス(事)
-
北村 昌太郎
NEC光エレクトロニクス研究所
-
畠山 大
NEC光エレクトロニクス研究所
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