1.55μm帯LDアンプゲートモジュール
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概要
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光マトリクススイッチの光ゲートエレメントとして、LDアンプゲートが注目されている。LDアンプゲートは、50dBの程度の大きな消光比を容易にとれるため、クロストークの大変小さい光マトリクススイッチを構成できる利点がある。LDアンプゲートには、低電流で動作し広い光入力範囲に対して信号劣化を生じさせないことが要求される。今回、選択MOVPE技術を用いて開発した偏光無依存型LDアンプを基に、光ゲート動作に適した素子改良を行うとともにモジュール化を行った。光ゲートモジュールとしての評価結果を報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
山口 昌幸
NEC光エレクトロニクス研究所
-
北村 直樹
日本電気株式会社光デバイス事業部
-
蔵田 和彦
日本電気株式会社光・超高周波デバイス研究所
-
蔵田 和彦
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
山口 昌幸
NEC化合物デバイス事業部
-
北村 昌太郎
NEC 化合物デバイス(事)
-
木村 直樹
NEC伝送デバイス事業部
-
北村 昌太郎
NEC光エレクトロニクス研究所
-
蔵田 和彦
NEC第二伝送通信事業部
-
木村 直樹
NEC第二伝送事業部
-
北村 直樹
Nec 光エレクトロニクス研
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