TEOS-O_3系常圧CVDによる石英系光導波路の低温形成
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概要
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光通信デバイスの小型化、低コスト化、多機能化を目指し、Si基板を用いた石英系光導波路に関する研究が盛んに行われている。これまで石英系光導波路の作製には火炎堆積法(FHD)、減圧化学気相堆積法(LP-CVD)、プラズマ化学気相堆積法(P-CVD)などが報告されているが、膜歪みが比較的大きいという問題があった。一方、常圧化学気相堆積法(AP-CVD)は半導体プロセスにおける絶縁膜形成などに用いられており、特にテトラエトキシシラン(TEOS)とO_3の反応を用いたAP-CVDは低温形成が可能で膜歪みの小さい成膜法であり、導波路形成においても各種プロセス上その魅力は大きい。しかし、これまで本堆積法による導波路作製に関する報告はほとんどない。今回我々は初めてTEOS-O_3系AP-CVDによって石英系光導波路を作製し、十分低損失な特性を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
下田 毅
NECネットワーキング研究所
-
中村 真一
Nec山梨デバイス統括部
-
北村 直樹
日本電気株式会社光デバイス事業部
-
北村 直樹
Nec光エレクトロニクス研究所
-
北村 光弘
NEC光エレクトロニクス研究所
-
下田 毅
NEC光エレクトロニクス研究所
-
花田 忠彦
Fiber Optic Devices Division, NEC Networks
-
北村 光弘
Nec
-
花田 忠彦
NEC光エレクトロニクス研究所
-
中村 真一
NEC第二伝送通信事業部
-
花田 忠彦
Fiber Optic Devices Division Nec Networks
-
北村 直樹
Nec 光エレクトロニクス研
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