低消費電力(10mW)光アンプゲートモジュール
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概要
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光クロスコネクト等に用いられるマトリクス光スイッチを構成する光ゲートとして、半導体光アンプ (SOA) が有望である。 SOA には、光ゲート特性として重要な高消光比が得られる特長があるが、マトリクス規模の拡大に伴い、さらに低消費電力およびデバイス特性の均一性が要求されている。前回、短素子長化によりモジュール利得 0dB の動作電流として 25mA の SOAゲートを実現した。今回さらに、活性層の波長組成と断面積の最適化により動作電流の一層の低減を図った。素子製作には前回と同様に製作均一性のよい選択 MOVPE 技術を用い、80個のファイバピグテイル付き 1.55μm 帯 SOAモジュールを製作した。その結果、すべてのモジュールで 40dB 以上の高消光比を得るとともに、モジュール利得 0dB の動作電流として9.7mA±0.5mA(1σ)と高均一かつ低消費電力の特性を実現したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
山口 昌幸
NEC光エレクトロニクス研究所
-
畠山 大
NECシステムデバイス研究所
-
小松 啓郎
Nec
-
北村 直樹
日本電気株式会社光デバイス事業部
-
加藤 友章
NEC光・無線デバイス研究所
-
小松 啓郎
NEC光エレクトロニクス研究所
-
加藤 友章
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
小松 啓郎
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
山口 昌幸
NEC化合物デバイス事業部
-
加藤 友章
NEC光エレクトロニクス研究所
-
木村 直樹
NEC第2伝送通信事業部
-
北村 昌太郎
NEC 化合物デバイス(事)
-
木村 直樹
NEC伝送デバイス事業部
-
北村 昌太郎
NEC光エレクトロニクス研究所
-
畠山 大
NEC光エレクトロニクス研究所
-
北村 直樹
Nec 光エレクトロニクス研
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