吸収変化を伴うMQW Mach-Zehnder変調器におけるチャーピングの解析
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概要
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近年、光通信システムの高速・長距離化に伴い、外部変調器への期待が高まっている。特に10Gb/s以上の光伝送では、原理的にチャープレスなMach-Zehnder(MZ)変調器を用いるのが有利である。しかしながら、LiNbO_3-MZ変調器に関して、駆動条件によってはチャーピングが生じる事が報告されている。量子閉じ込めシュタルク効果(QCSE)を利用する半導体MZ変調器では、位相変化と同時に吸収変化が生じる為に、LiNbO_3-MZ変調器とは異なったチャーピングが生じると予想される。今回、InGaAsP/InP MQW MZ変調器におけるチャーピングについて数値・実験解析を行った。この結果、半導体MZ変調器においてもチャーピングの制御ができ、"Push-Pull"変調を用いれば吸収変化が存在してもパルス圧縮が可能である事を明らかにしたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
清水 淳一
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
小松 啓郎
Nec
-
小松 啓郎
NEC光エレクトロニクス研究所
-
小松 啓郎
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
石坂 政茂
NECナノエレクトロニクス研究所
-
石坂 政茂
NEC光エレクトロニクス研究所
-
清水 淳一
NEC光エレクトロニクス研究所化合物デバイス事業部
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