C-4-1 広温度・低電流動作10-Gb/s AlGaInAs BH構造DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-09-02
著者
-
阪田 康隆
NECエレクトロニクス化合物デバイス事業部
-
厚井 大明
NECエレクトロニクス化合物デバイス事業部
-
伊藤 彰浩
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
小林 隆二
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
加藤 豪
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
室谷 義治
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
清水 淳一
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
石川 信
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
室谷 義治
NEC光・無線デバイス研究所
-
加藤 豪
Necエレクトロニクス株式会社個別半導体事業本部化合物デバイス事業部
-
小林 隆二
Necエレクトロニクス株式会社個別半導体事業本部化合物デバイス事業部
-
阪田 康隆
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
厚井 大明
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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