C-4-9 120℃低電流駆動10Gb/s1.3μmAlGaInAs BH FPレーザ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-09-07
著者
-
小林 隆二
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
小林 隆二
Necシステムデバイス研究所
-
加藤 豪
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
室谷 義治
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
石川 信
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
鶴岡 清貴
NECシステムデバイス研究所
-
大澤 洋一
NECシステムデバイス研究所
-
加藤 友章
NECシステムデバイス研究所
-
大澤 洋一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
加藤 豪
NEC化合物デバイス(株)
-
栗原 佑介
NEC化合物デバイス(株)
-
室谷 義治
NEC化合物デバイス(株)
-
奥田 哲朗
NEC化合物デバイス(株)
-
石川 信
NEC化合物デバイス(株)
-
室谷 義治
NEC光・無線デバイス研究所
-
奥田 哲朗
NEC光・無線デバイス研究所
-
加藤 友章
Necナノエレクトロニクス研究所
-
鶴岡 清貴
NECナノエレクトロニクス研究所
-
加藤 友章
Necシステムipコア研究所
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