奥田 哲朗 | NEC光・無線デバイス研究所

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概要

• 同名の論文著者
• NEC光・無線デバイス研究所の論文著者

関連著者

• 奥田 哲朗

  NEC化合物デバイス(株)

• 奥田 哲朗

  NEC光・無線デバイス研究所

• 室谷 義治

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 鳥飼 俊敬

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 奥田 哲朗

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 室谷 義治

  NEC光・無線デバイス研究所

• 室谷 義治

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 黄 翊東

  NECシステムデバイス研究所

• 山田 博仁

  NEC(株)関西エレクトロニクス研究所

• 芝 和宏

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 芝 和宏

  NEC光デバイス事業部

• 芝和 宏

  Necナノエレクトロニクス研究所

• 佐藤 健二

  Necナノエレクトロニクス研究所

• 小林 健一

  Nec光・無線デバイス研究所

• 中村 隆宏

  NECシステムデバイス研究所

• 鈴木 尚文

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 山田 博仁

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 小林 隆二

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 小林 健一

  日本電気(株)光エレクトロニクス研究所

• 清水 淳一

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 石川 信

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 大澤 洋一

  日本電気株式会社 システムデバイス研究所

• 石川 信

  NEC化合物デバイス(株)

• 小林 健一

  NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所

• 奥田 哲朗

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 芝 和宏

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 佐々木 達也

  Necシステムデバイス研究所

• 清水 淳一

  NEC化合物デバイス株式会社

• 小林 隆二

  Necシステムデバイス研究所

• 鶴岡 清貴

  NECシステムデバイス研究所

• 大澤 洋一

  NECシステムデバイス研究所

• 栗原 佑介

  NEC化合物デバイス(株)

• 室谷 義治

  NEC化合物デバイス(株)

• 佐藤 健二

  NECシステムデバイス研究所

• 奥田 哲朗

  NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所

• 室谷 義治

  NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所

• 佐々木 達也

  NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所

• 小林 健一

  NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所

• 黄 翊東

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 鈴木 尚文

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 向原 一誠

  NEC化合物デバイス株式会社

• 向原 一誠

  NECエレクトロニクス株式会社個別半導体事業本部化合物デバイス事業部

• 宇治 俊男

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 宇治 俊男

  NEC関西エレ研

• 佐藤 健二

  Necシステムipコア研究所

• 宇治 俊男

  Nec 関西エレクトロニクス研

• 伊藤 彰浩

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 山口 昌幸

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 加藤 豪

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 加藤 豪

  NEC化合物デバイス(株)

• 大澤 洋一

  NEC光・無線デバイス研究所

• 中村 隆宏

  NEC光・無線デバイス研究所

• 黄 翊東

  NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所

• 奥田 哲朗

  NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所

• 佐藤 健二

  NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所

• 室谷 義治

  NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所

• 佐々木 達也

  NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所

• 黄 翊東

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 室谷 義治

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 鈴木 尚文

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 工藤 耕治

  NEC光・無線デバイス研究所

• 工藤 耕治

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 伊藤 彰浩

  NEC化合物デバイス株式会社

• 加藤 秀典

  NEC化合物デバイス株式会社

• 山口 昌幸

  NEC化合物デバイス事業部

• 石坂 政茂

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 古嶋 裕司

  NEC化合物デバイス株式会社

• 黄 〓東

  NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所

• 奥田 哲朗

  日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所

• 古嶋 裕司

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 石坂 政茂

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 山口 昌幸

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 石坂 政茂

  Necナノエレクトロニクス研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 山田 博仁

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 鳥飼 俊敬

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 石坂 政茂

  NECシステムプラットフォーム研究所

• 佐藤 健二

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 石坂 政茂

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 加藤 友章

  NECシステムデバイス研究所

• 小林 隆二

  NEC光・無線デバイス研究所

• 鶴岡 清貴

  NEC光・無線デバイス研究所

• 厚井 大明

  NEC光・無線デバイス研究所

• 次田 拓実

  NEC光・無線デバイス研究所

• 小松 啓郎

  Nec

• 加美 伸治

  日本電気株式会社システムプラットフォーム研究所

• 加美 伸治

  NECシステムプラットフォーム研究所

• 佐藤 健二

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 蔵田 和彦

  日本電気(株)伝送デバイス事業部

• 佐々木 達也

  日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部

• 屋敷 健一郎

  NEC光・無線デバイス研究所

• 杉本 宝

  NECネットワーキング研究所

• 蔵田 和彦

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 三好 一徳

  日本電気(株)システムプラットフォーム研究所

• 加藤 友章

  Necナノエレクトロニクス研究所

• 鶴岡 清貴

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 御田村 和宏

  Nec化合物デバイス株式会社

• 小松 啓郎

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 山田 耕司

  NEC化合物デバイス株式会社

• 薬師寺 記右

  九州電子株式会社

• 荒山 達朗

  NEC化合物デバイス株式会社

• 奥田 哲朗

  NEC光無線デバイス研究所

• 室谷 義治

  NEC光無線デバイス研究所

• 阪田 康隆

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 佐々木 善浩

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 井元 康雅

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 安食 浩司

  NEC関西

• 遠坂 憲司

  九州電子株式会社

• 次田 拓実

  NEC システムデバイス研究所

• 鶴岡 清隆

  NEC光・無線デバイス研究所

• 寺門 知二

  NEC光・無線デバイス研究所

• 栗原 香

  NEC光・無線デバイス研究所

• 五明 明子

  NEC光・無線デバイス研究所

• 加美 伸治

  日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所

• 鈴木 尚文

  日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所

• 横山 吉隆

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 河井 元良

  日本電気(株)伝送デバイス事業部

• 芝 和宏

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 岡本 拓磨

  日本電気(株)伝送デバイス事業部

• 山内 賢治

  日本電気(株)伝送デバイス事業部

• 三好 一徳

  光・超高周波デバイス研究所

• 鳥飼 俊敬

  NEC(株)関西エレクトロニクス研究所

• 山内 賢治

  NEC

• 芝 和宏

  NEC(株)関西エレクトロニクス研究所

• 奥田 哲朗

  NEC(株)関西エレクトロニクス研究所

• 黄 朔東

  NEC(株)関西エレクトロニクス研究所

• 中村 隆弘

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 富田 恵作

  NEC化合物デバイス事業部

• 阪田 康隆

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 杉本 宝

  日本電気株式会社

• 佐々木 達也

  Nec 光・無線デバイス研

• 井元 康雅

  Nec Ul開研

• 加藤 友章

  Necシステムipコア研究所

• 岡本 拓磨

  東北大

• 蔵田 和彦

  日本電気(株)グリーンイノベーション研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 御田村 和宏

  Nec化合物デバイス

• 加美 伸治

  NECクラウドシステム研究所:東京大学先端科学技術研究センター

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著作論文

• C-4-9 120℃低電流駆動10Gb/s1.3μmAlGaInAs BH FPレーザ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
• 10Gb/s,1.3μm帯AlGaInAs系BH構造DFB-LDの低駆動電流動作(光波ネットワーク・光アクセスに向けた光波デバイス,光集積回路,一般)
• C-4-26 100℃低駆動電流動作10Gb/s 1.3μm AlGaInAs BH DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
• C-4-10 10Gb/s 直接変調用 1.3μm 帯 AlGaInAs BH DFB-LD
• 直接変調λ/8位相シフトDFBレーザの低チャープ動作
• TC-3-2 DFBレーザの高歩留まり・高性能化に向けた設計シミュレーション
• C-4-8 部分回折格子レーザの-40℃〜+80℃耐反射2.5Gb/s伝送特性
• 大容量光アクセスネットワーク用高歩留まり部分回折格子レーザ
• 単一軸モード歩留まりの高いアクセスネットワーク用部分回折格子レーザ
• PC-LDの反射戻り光耐性の回折格子長依存性
• B-10-43 10Gb/s 直接変調 DFB-TOSA の開発
• C-4-11 10Gb/s 用 LDD 内蔵表面実装型直接変調 DFB レーザモジュール
• C-4-10 10GBASE-LRM用直接変調FP-TOSAの開発(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
• C-4-47 85℃, 10Gb/s直接変調用低閾値1.3μm帯AlGaInAs BHレーザ
• C-4-26 λ/8位相シフトDEB-LDの耐反射2.5Gb/s伝送特性
• C-4-24 直接変調DFBレーザにおける伝送波形のパルス圧縮効果
• C-3-115 LDのSPICEモデルを用いた統一シミュレーションによる光トランシーバ設計
• 直接変調λ/8位相シフトDFBレーザの低チャープ動作
• C-4-15 AR/HR型非対称λ/4位相シフト回折格子を有するEA変調器集積DFB-LD
• C-4-14 10Gb/s-WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LD
• 部分回折格子LDを用いた表面実装型LDモジュールの雑音特性
• チャープ回折格子を有するスポットサイズ変換型PC-LD
• 部分回折格子レーザの-40℃〜85℃耐反射622 Mbit/s変調特性
• 安定な変調歪位相特性を有する部分回折格子レーザ
• 半導体レーザの変調2次歪の発生機構
• SCM伝送用広帯域・低歪MQW-DFBレーザ
• 重み付けEB露光法によるDFBレーザの発振波長精密制御
• 重み付けEB露光「WAVE」によるDFB-LDの回折格子周期精密制御
• 大容量CATV用部分回折格子レーザ
• 広帯域CATV用低歪PC-LDアレイ
• 高効率な非対称回折格子周期変調位相シフトDFBレーザ
• 重み付けEB露光によるDFBレーザ回折格子の位相精密制御

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