大澤 洋一 | 日本電気株式会社 システムデバイス研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
小林 隆二
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
大澤 洋一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
小林 隆二
Necシステムデバイス研究所
-
鶴岡 清貴
NECシステムデバイス研究所
-
大澤 洋一
NECシステムデバイス研究所
-
室谷 義治
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
奥田 哲朗
NEC化合物デバイス(株)
-
室谷 義治
NEC光・無線デバイス研究所
-
奥田 哲朗
NEC光・無線デバイス研究所
-
加藤 友章
Necナノエレクトロニクス研究所
-
鶴岡 清貴
NECナノエレクトロニクス研究所
-
石川 信
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
加藤 友章
NECシステムデバイス研究所
-
徳留 圭一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
室谷 義治
NEC化合物デバイス(株)
-
石川 信
NEC化合物デバイス(株)
-
中村 隆宏
NECシステムデバイス研究所
-
難波江 宏一
NEC システムデバイス研究所
-
加藤 友章
Necシステムipコア研究所
-
難波江 宏一
NECシステムデバイス研究所
-
徳留 圭一
NECシステムデバイス研究所
-
加藤 豪
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
鶴岡 清貴
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
小林 隆二
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
難波江 宏一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
加藤 友章
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
加藤 豪
NEC化合物デバイス(株)
-
栗原 佑介
NEC化合物デバイス(株)
-
黄 翊東
NECシステムデバイス研究所
-
小林 隆二
NEC光・無線デバイス研究所
-
鶴岡 清貴
NEC光・無線デバイス研究所
-
厚井 大明
NEC光・無線デバイス研究所
-
大澤 洋一
NEC光・無線デバイス研究所
-
次田 拓実
NEC光・無線デバイス研究所
-
中村 隆宏
NEC光・無線デバイス研究所
-
次田 拓実
NEC システムデバイス研究所
-
徳留 圭一
日本電気株式会社
著作論文
- C-4-11 Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造AlGaInAs-MQW-DFB-LDの120℃-10Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造非温調10 Gb/s AlGaInAs-MQW-FP-LD(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
- C-4-9 120℃低電流駆動10Gb/s1.3μmAlGaInAs BH FPレーザ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
- C-4-8 Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造AlGaInAs-MQW-FP-LDの110℃-10Gb/s動作(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
- 10Gb/s,1.3μm帯AlGaInAs系BH構造DFB-LDの低駆動電流動作(光波ネットワーク・光アクセスに向けた光波デバイス,光集積回路,一般)
- C-4-26 100℃低駆動電流動作10Gb/s 1.3μm AlGaInAs BH DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-4-10 10Gb/s 直接変調用 1.3μm 帯 AlGaInAs BH DFB-LD