黄 翊東 | NECシステムデバイス研究所
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概要
関連著者
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奥田 哲朗
NEC化合物デバイス(株)
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黄 翊東
NECシステムデバイス研究所
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奥田 哲朗
NEC光・無線デバイス研究所
-
室谷 義治
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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芝 和宏
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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芝 和宏
NEC光デバイス事業部
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芝和 宏
Necナノエレクトロニクス研究所
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室谷 義治
NEC光・無線デバイス研究所
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奥田 哲朗
NEC関西エレクトロニクス研究所
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芝 和宏
NEC関西エレクトロニクス研究所
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黄 翊東
NEC関西エレクトロニクス研究所
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鳥飼 俊敬
NEC関西エレクトロニクス研究所
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鈴木 尚文
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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佐藤 健二
Necナノエレクトロニクス研究所
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小林 健一
日本電気(株)光エレクトロニクス研究所
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小林 健一
Nec光・無線デバイス研究所
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黄 翊東
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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奥田 哲朗
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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佐藤 健二
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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室谷 義治
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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佐々木 達也
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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小林 健一
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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奥田 哲朗
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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黄 翊東
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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室谷 義治
NEC関西エレクトロニクス研究所
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鈴木 尚文
NEC関西エレクトロニクス研究所
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佐々木 達也
Necシステムデバイス研究所
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小林 隆二
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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小林 隆二
Necシステムデバイス研究所
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石川 信
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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鶴岡 清貴
NECシステムデバイス研究所
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大澤 洋一
NECシステムデバイス研究所
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大澤 洋一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
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室谷 義治
NEC化合物デバイス(株)
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石川 信
NEC化合物デバイス(株)
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佐藤 健二
NECシステムデバイス研究所
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中村 隆宏
NECシステムデバイス研究所
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奥田 哲朗
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
-
室谷 義治
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
-
佐々木 達也
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
-
小林 健一
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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佐藤 健二
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
室谷 義治
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
鈴木 尚文
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
佐藤 健二
Necシステムipコア研究所
著作論文
- 10Gb/s,1.3μm帯AlGaInAs系BH構造DFB-LDの低駆動電流動作(光波ネットワーク・光アクセスに向けた光波デバイス,光集積回路,一般)
- 直接変調λ/8位相シフトDFBレーザの低チャープ動作
- TC-3-2 DFBレーザの高歩留まり・高性能化に向けた設計シミュレーション
- C-4-8 部分回折格子レーザの-40℃〜+80℃耐反射2.5Gb/s伝送特性
- 大容量光アクセスネットワーク用高歩留まり部分回折格子レーザ
- 単一軸モード歩留まりの高いアクセスネットワーク用部分回折格子レーザ
- PC-LDの反射戻り光耐性の回折格子長依存性
- 直接変調λ/8位相シフトDFBレーザの低チャープ動作