室谷 義治 | NEC 関西エレクトロニクス研究所
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概要
関連著者
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室谷 義治
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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室谷 義治
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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鈴木 尚文
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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鳥飼 俊敬
NEC関西エレクトロニクス研究所
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山田 博仁
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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鳥飼 俊敬
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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山田 博仁
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
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工藤 耕治
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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山口 昌幸
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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山口 昌幸
NEC光エレクトロニクス研究所
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奥田 哲朗
NEC化合物デバイス(株)
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奥田 哲朗
NEC光・無線デバイス研究所
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奥田 哲朗
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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鈴木 尚文
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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工藤 耕治
NECナノエレクトロニクス研究所
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山口 昌幸
NEC化合物デバイス事業部
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石坂 政茂
NECナノエレクトロニクス研究所
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阪田 康隆
NEC ULSIデバイス開発研究所
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井元 康雅
NEC ULSIデバイス開発研究所
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古嶋 裕司
NEC化合物デバイス株式会社
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石坂 政茂
Necナノエレクトロニクス研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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石坂 政茂
NECシステムプラットフォーム研究所
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阪田 康隆
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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井元 康雅
Nec Ul開研
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石坂 政茂
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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佐々木 純一
日本電気株式会社システムプラットフォーム研究所
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清水 淳一
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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黄 翊東
NECシステムデバイス研究所
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中村 隆宏
NECシステムデバイス研究所
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室谷 義治
NEC光・無線デバイス研究所
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小松 啓郎
Nec
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黄 翊東
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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芝 和宏
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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佐々木 達也
Necシステムデバイス研究所
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佐々木 達也
NEC 光・無線デバイス研究所
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福知 清
システムプラットフォーム研究所
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福知 清
Nec C&cメディア研究所
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小松 啓郎
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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芝 和宏
NEC光デバイス事業部
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古嶋 裕司
NEC ULSIデバイス開発研究所
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屋敷 健一郎
NEC 光・無線デバイス研究所
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清水 淳一
NEC Ul開研
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石坂 政茂
NEC Ul開研
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横山 吉隆
NEC 光・超高研
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北村 昌太郎
NEC 化合物デバイス(事)
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佐々木 純一
NEC 光エレクトロニクス研究所
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古嶋 裕司
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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石坂 政茂
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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中村 隆宏
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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宇治 俊男
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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芝和 宏
Necナノエレクトロニクス研究所
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佐々木 達也
Nec 光・無線デバイス研
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宇治 俊男
Nec 関西エレクトロニクス研
著作論文
- C-4-8 部分回折格子レーザの-40℃〜+80℃耐反射2.5Gb/s伝送特性
- 2インチウェハ面内波長制御技術を用いた10Gb/s変調器集積DFB-LDのL帯8ch.一括作製
- AuSnバンプ実装を用いたWDM用アレイLDモジュール
- SC-3-7 LバンドWDM伝送に対応した1.56〜1.61μmASM-SI-BH型EA変調器集積DFB-LD
- DFBレーザアレイの発振波長精密制御
- 重み付けEB露光「WAVE」によるDFB-LDの回折格子周期精密制御