古嶋 裕司 | NEC ULSIデバイス開発研究所

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概要

• 同名の論文著者
• NEC ULSIデバイス開発研究所の論文著者

関連著者

• 古嶋 裕司

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 古嶋 裕司

  NEC化合物デバイス株式会社

• 工藤 耕治

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 山口 昌幸

  NEC化合物デバイス事業部

• 阪田 康隆

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 井元 康雅

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 阪田 康隆

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 井元 康雅

  Nec Ul開研

• 山口 昌幸

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 室谷 義治

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 室谷 義治

  NEC光・無線デバイス研究所

• 小松 啓郎

  Nec

• 小松 啓郎

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 石坂 政茂

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 石坂 政茂

  NEC Ul開研

• 石坂 政茂

  Necナノエレクトロニクス研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 石坂 政茂

  NECシステムプラットフォーム研究所

• 石坂 政茂

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 室谷 義治

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 屋敷 健一郎

  NEC光・無線デバイス研究所

• 工藤 耕治

  NEC光・無線デバイス研究所

• 佐々木 善浩

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 蓮見 秀世

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 横山 吉隆

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 山口 昌幸

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 工藤 耕治

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 山口 昌幸

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 清水 淳一

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 村上 智樹

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 榎谷 順

  NEC化合物デバイス事業部

• 高野 信司

  NEC化合物デバイス事業部

• 山崎 裕幸

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 室谷 義治

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 佐々木 達也

  Necシステムデバイス研究所

• 杉山 優子

  Nec光エレクトロニクス研究所化合物デバイス事業部

• 佐々木 達也

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 森本 卓夫

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 清水 淳一

  NEC化合物デバイス株式会社

• 山崎 裕幸

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 杉山 優子

  NEC化合物デバイス事業部

• 森本 卓夫

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 冨田 恵作

  NEC化合物デバイス事業部

• 屋敷 健一郎

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 清水 淳一

  NEC Ul開研

• 横山 吉隆

  NEC 光・超高研

• 北村 昌太郎

  NEC 化合物デバイス(事)

• 森本 卓夫

  NEC・ULSIデバイス開発研究所

• 上原 邦夫

  NEC化合物デバイス事業部

• 上原 邦夫

  日本電気(株)

• 佐々木 達也

  Nec 光・無線デバイス研

• 冨田 恵作

  Nec化合物デバイス

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著作論文

• 全選択MOVPE成長型1.3μmスポットサイズ変換器集積LD
• 1.3μm帯歪補償MQWλ/4シフトDFB-LDによる広温度範囲2.5Gb/s-51km伝送
• 耐環境性1.3μm帯歪MQWλ/4シフトDFB-LD
• 2インチウェハ面内波長制御技術を用いた10Gb/s変調器集積DFB-LDのL帯8ch.一括作製
• 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
• 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
• 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
• 耐環境性1.55μmλ/4シフト歪MQW-DFB LDモジュールの伝送特性

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