全選択MOVPE成長型1.3μmスポットサイズ変換器集積LD

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概要

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• 近年、光アクセス系通信システム用LDモジュールの低コスト化のために高温特性に優れ、かつ、光放射角の狭いLDが求められている。我々はこれまでに狭幅選択MOVPE成長技術とセルフアラインマスク形成技術により半導体層へのエッチングプロセス無しでpnpn電流狭窄構造の作製を可能とした全選択MOVPE成長型(ASM:A__-ll S__-elective M__-OVPE grown)LDにより、優れた温度特性及び均一性を報告してきた。今回、選択成長マスク形状により膜厚テーパ形状を自由に制御可能なスポットサイズ変換器集積(SSC:S__-pot S__-ize C__-onverter integrated)LDの埋め込み構造としてASM構造を適用し、良好な特性を確認したので報告する。

• 1997-08-13

著者

• 山崎 裕幸

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 工藤 耕治

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 山口 昌幸

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 工藤 耕治

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 山口 昌幸

  NEC化合物デバイス事業部

• 阪田 康隆

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 佐々木 善浩

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 井元 康雅

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 山崎 裕幸

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 古嶋 裕司

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 蓮見 秀世

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 古嶋 裕司

  NEC化合物デバイス株式会社

• 阪田 康隆

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 井元 康雅

  Nec Ul開研

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