C-4-14 液晶チューナブルミラーを用いた外部共振器型波長可変レーザ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-03-07
著者
-
水谷 健二
Necナノエレクトロニクス研究所
-
佐藤 健二
Necナノエレクトロニクス研究所
-
難波江 宏一
NECシステムデバイス研究所
-
須藤 信也
NECシステムデバイス研究所
-
佐藤 健二
NECシステムデバイス研究所
-
工藤 耕治
NECシステムデバイス研究所
-
難波江 宏一
NEC システムデバイス研究所
-
須藤 信也
NECナノエレクトロニクス研究所
-
工藤 耕治
NECナノエレクトロニクス研究所
-
佐藤 成哲
NEC化合物デバイス事業部
-
佐藤 成哲
Nec化合物デバイス株式会社
-
水谷 健二
NECシステムデバイス研究所
-
ドゥ・メルリール ヤン
NECシステムデバイス研究所
-
古嶋 裕司
NEC化合物デバイス株式会社
-
ドゥ メルリール
NECシステムデバイス研究所
-
佐藤 健二
Necシステムipコア研究所
関連論文
- フレキシブル基板プラットフォーム上のシングルモードファイバ直接結合10Gbps VCSEL-TOSA(光波ネットワーク・光アクセスに向けた光波デバイス, 光集積回路, 一般)
- 1.58μm帯を用いた640Gb/s DSF 400km WDM 伝送実験
- 全選択MOVPE成長型1.3μmスポットサイズ変換器集積LD
- C-4-11 Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造AlGaInAs-MQW-DFB-LDの120℃-10Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造非温調10 Gb/s AlGaInAs-MQW-FP-LD(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
- C-4-8 Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造AlGaInAs-MQW-FP-LDの110℃-10Gb/s動作(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
- 狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 高速EA変調器を用いた40Gb/s-NRZ伝送特性の解析
- 直接変調λ/8位相シフトDFBレーザの低チャープ動作
- CS-3-3 アクティブMMIによるFTTH用1V駆動レーザー(CS-3. 高機能・低コスト化が進むメトロ・アクセス用光部品の最新動向, エレクトロニクス1)
- 低駆動電圧アクティブMMIレーザの動特性(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- マイクロアレイ選択成長を用いた波長選択光源(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待論文]マイクロアレイ選択成長を用いた波長選択光源(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 結晶成長技術
- CS-9-4 InP-MZ変調器集積チューナブルレーザ(CS-9.大容量・高機能光通信時代を拓く集積光デバイス,シンポジウムセッション)
- C-4-5 MZ変調器集積フルCバンド波長可変小型10Gbps-80km伝送モジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 結合量子井戸SOAを用いた広帯域・外部共振器型波長可変レーザ(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- C-3-52 波長ロッカー内蔵4波チューナブルLDの高波長安定動作
- 狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 1.3μm帯歪補償MQWλ/4シフトDFB-LDによる広温度範囲2.5Gb/s-51km伝送
- 耐環境性1.3μm帯歪MQWλ/4シフトDFB-LD
- 低駆動電圧アクティブMMIレーザの動特性(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 光インターコネクション : 携帯内光接続から次世代 Super Computer 応用へ向けて
- CS-4-4 インナーストライプ型青紫色半導体レーザの高信頼動作(CS-4.窒化物/ワイドバンドギャップ光半導体とその応用の新展開,シンポジウム)
- C-4-14 液晶チューナブルミラーを用いた外部共振器型波長可変レーザ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- 低駆動電圧アクティブMMIレーザの動特性(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 低駆動電圧アクティブMMIレーザの動特性(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- C-4-42 アクティブMMIによる低消費電力型高出力励起レーザー
- C-4-3 S、C、L帯に亘る高出力マイクロアレイ波長選択光源の一括作製
- InP基板上のZnCdSeの成長
- C-4-26 λ/8位相シフトDEB-LDの耐反射2.5Gb/s伝送特性
- C-4-24 直接変調DFBレーザにおける伝送波形のパルス圧縮効果
- 直接変調λ/8位相シフトDFBレーザの低チャープ動作
- C-4-15 AR/HR型非対称λ/4位相シフト回折格子を有するEA変調器集積DFB-LD
- C-4-14 10Gb/s-WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LD
- 2インチウェハ面内波長制御技術を用いた10Gb/s変調器集積DFB-LDのL帯8ch.一括作製
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- 広波長範囲(1530〜1610nm)EA変調器集積DFB-LDの一括形成(2) : 素子特性
- 広波長範囲(1530-1610nm)EA変調器集積DFB-LDの一括形成(1) : 設計コンセプトと作製方法
- DC型ミラーを介してMZ型光変調器をギノリシック集積した小型波長可変光源の10Gb/s-80km伝送特性(光部品の実装・信頼性、一般)
- DC型ミラーを介してMZ型光変調器をモノリシック集積した小型波長可変光源の10Gb/s-80km伝送特性(光部品の実装・信頼性,一般)
- DC型ミラーを介してMZ型光変調器をモノリシック集積した小型波長可変光源の10Gb/s-80km伝送特性(光部品の実装・信頼性,一般)
- 電流ブロック層への再結合層ストライプ挿入による1.3μm SSC-ASM LDの高温高出力特性の向上
- ループ配置半導体リング・MZIフィルタを用いた小型広帯域モノリシック波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- ループ配置半導体リング・MZIフィルタを用いた小型広帯域モノリシック波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- ループ配置半導体リング・MZIフィルタを用いた小型広帯域モノリシック波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- ループ配置半導体リング・MZIフィルタを用いた小型広帯域モノリシック波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-21 半導体MZ・ループリングフィルタを用いた小型広帯域波長可変レーザ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 結合量子井戸SOAを用いた広帯域・外部共振器型波長可変レーザ(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- 結合量子井戸SOAを用いた広帯域・外部共振器型波長可変レーザ(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- C-4-14 MZ変調器をモノリシック集積した小型波長可変光源の10Gb/s-80km伝送特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-22 液晶チューナブルミラーを用いたITLA対応小型波長可変レーザモジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-34 SOA変調器集積外部共振器型波長可変レーザの2.5Gbps-360kmフルバンド伝送特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-30 液晶チューナブルミラーを用いた高出力・広帯域外部共振器型波長可変レーザモジュール(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(波長可変レーザ), エレクトロニクス1)
- 広帯域波長可変レーザ・モジュールの最近の進展(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- 広帯域波長可変レーザ・モジュールの最近の進展(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- 広帯域波長可変レーザ・モジュールの最近の進展(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- C-4-23 広波長域ディチューニシグ制御を可能としたEA変調器集積化マイクロアレイ波長選択光源
- マイクロアレイ技術によるWDM用波長選択光源
- マイクロアレイ技術によるWDM用波長選択光源
- マイクロアレイ波長選択光源のデバイス設計 : MMIの3次元BPMと、実験結果との比較
- 異波長帯マイクロアレイ波長選択光源のウエハ内一括作製
- C-3-89 導波路リング共振器と半導体光増幅器による波長可変レーザ(C-3. 光エレクトロニクス(アクティブモジュール), エレクトロニクス1)
- SC-3-7 LバンドWDM伝送に対応した1.56〜1.61μmASM-SI-BH型EA変調器集積DFB-LD
- SC-3-5 WDM用PICの極小化を可能とするマイクロアレイ技術
- 広帯域波長可変レーザ・モジュールの最近の進展(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- C-3-130 PLCリング共振器による波長可変レーザ(II)(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- SC-2-4 DWDM用波長選択光源
- 波長可変階段型導波路構造(TSG)DBR LDによる単一電流連続波長制御
- 光エレクトロニクス
- 光エレクトロニクス
- EB露光回折格子のスティッチングエラー評価
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- マイクロアレイ技術によるWDM用波長選択光源
- 高効率な非対称回折格子周期変調位相シフトDFBレーザ
- 重み付けEB露光によるDFBレーザ回折格子の位相精密制御
- 多波長マイクロアレイ半導体レーザ
- 導波路幅拡大構造スポットサイズ変換器集積レーザのテーパ形状最適化
- 導波路幅拡大構造を有するスポットサイズ変換器集積レーザ
- 導波路幅拡大構造を有するスポットサイズ変換器集積レーザ
- WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術
- WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術
- WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術
- WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術
- WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術
- C-3-30 90-nm CMOSロジックIC直接駆動対応線形加速器型縦列電極構造InP MZ変調器(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- BS-7-7 Siフォトニクス技術の次世代フォトニックネットワークへの適用 : コアからアクセスまで(BS-7.光アクセスシステムの最新技術と将来展望-Post 10Gbps光アクセスに向けて-,シンポジウムセッション)
- DC型ミラーを介してMZ型光変調器をモノリシック集積した小型波長可変光源の10Gb/s-80km伝送特性
- CMOSロジックIC直接駆動対応線形加速器型縦列電極構造InP MZ変調器 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- CMOSロジックIC直接駆動対応線形加速器型縦列電極構造InP MZ変調器 (光エレクトロニクス)
- DC型ミラーを介してMZ型光変調器をモノリシック集積した小型波長可変光源の10Gb/s-80km伝送特性
- B-12-11 複数待機モードを有する省電力トランスポンダを用いた動的省電力ノード装置の提案 : 消費電力低減効果と高速障害回復機能の実証(B-12. フォトニックネットワーク,一般セッション)
- CMOSロジックIC直接駆動対応線形加速器型縦列電極構造InP MZ変調器(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- CMOSロジックIC直接駆動対応線形加速器型縦列電極構造InP MZ変調器(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- B-9-12 分散するEV用リチウムイオンバッテリーの仮想集積技術 : 電力システム連携に向けた多数台EV充電電力の可制御化(B-9.電子通信エネルギー技術,一般セッション)
- B-9-11 分散する定置用リチウムイオンバッテリーの仮想集積技術 : 電力システム連携に向けた多数LIBの劣化抑制充放電制御(B-9.電子通信エネルギー技術,一般セッション)