難波江 宏一 | NEC システムデバイス研究所

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概要

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関連著者

• 難波江 宏一

  NEC システムデバイス研究所

• 難波江 宏一

  NECシステムデバイス研究所

• 大矢 昌輝

  Nec システムデバイス研究所

• 須藤 信也

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 須藤 信也

  NECシステムデバイス研究所

• 佐々木 達也

  Necシステムデバイス研究所

• 佐々木 達也

  日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部

• 浜本 貴一

  NECシステムデバイス研究所

• 佐々木 達也

  Nec 光・無線デバイス研

• 佐々木 達也

  NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所

• 笠原 健一

  立命館大学

• 大矢 昌輝

  NECシステムデバイス研究所

• 清水 省吾

  立命館大学理工学部

• 笠原 健一

  立命館大学大学院理工学研究科

• 清水 省吾

  立命館大学大学院理工学研究科

• 小林 隆二

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 小林 隆二

  Necシステムデバイス研究所

• 徳留 圭一

  日本電気株式会社 システムデバイス研究所

• 大澤 洋一

  日本電気株式会社 システムデバイス研究所

• モハマド ダニアル

  立命館大学理工学部

• ダニアル モハマド

  立命館大学理工学部

• 加藤 友章

  Necナノエレクトロニクス研究所

• 鶴岡 清貴

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 佐藤 健二

  Necナノエレクトロニクス研究所

• 鶴岡 清貴

  NECシステムデバイス研究所

• 徳留 圭一

  NECシステムデバイス研究所

• 大澤 洋一

  NECシステムデバイス研究所

• 加藤 友章

  NECシステムデバイス研究所

• 森 一男

  NECラボラトリーズ 光無線デバイス研究所

• 工藤 耕治

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 加藤 友章

  Necシステムipコア研究所

• 水谷 健二

  Necナノエレクトロニクス研究所

• 工藤 耕治

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 室谷 義治

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 鶴岡 清貴

  日本電気株式会社 システムデバイス研究所

• 小林 隆二

  日本電気株式会社 システムデバイス研究所

• 難波江 宏一

  日本電気株式会社 システムデバイス研究所

• 加藤 友章

  日本電気株式会社 システムデバイス研究所

• 佐藤 健二

  NECシステムデバイス研究所

• 工藤 耕治

  NECシステムデバイス研究所

• 室谷 義治

  NEC光・無線デバイス研究所

• 深津 公良

  NECシステムデバイス研究所

• 畠山 大

  NECシステムデバイス研究所

• 深津 公良

  NECラボラトリーズ 光無線デバイス研究所

• 小林 隆二

  NECラボラトリーズ 光無線デバイス研究所

• 芝 和宏

  NECラボラトリーズ 光無線デバイス研究所

• 難波江 宏一

  NECラボラトリーズ 光無線デバイス研究所

• 石坂 政茂

  NECラボラトリーズ 光無線デバイス研究所

• 佐々木 達也

  NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所

• 芝 和宏

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 深津 公良

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 鈴木 尚文

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 畠山 大

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 赤川 武志

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 山田 みつき

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 山田 みつき

  Nec システムデバイス研究所

• 須藤 信也

  NEC システムデバイス研究所

• 浜本 貴一

  NEC システムデバイス研究所

• 森 一男

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 阿江 敬

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 佐々木 達也

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 阿江 敬

  NEC光・無線デバイス研究所

• 森本 卓夫

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 佐藤 成哲

  NEC化合物デバイス事業部

• 芝 和宏

  NEC光デバイス事業部

• 石坂 政茂

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 佐藤 成哲

  Nec化合物デバイス株式会社

• 福田 和久

  NEC システムデバイス研究所

• 河本 滋

  NEC システムデバイス研究所

• 増本 一郎

  NEC システムデバイス研究所

• 赤川 武志

  NEC システムデバイス研究所

• 松舘 政茂

  NEC システムデバイス研究所

• 次田 拓実

  NEC システムデバイス研究所

• 笹岡 千秋

  NEC システムデバイス研究所

• 水谷 健二

  NECシステムデバイス研究所

• ドゥ・メルリール ヤン

  NECシステムデバイス研究所

• 古嶋 裕司

  NEC化合物デバイス株式会社

• 浜本 貴一

  NEC光・無線デバイス研究所

• 難波江 宏一

  NEC光・無線デバイス研究所

• 大矢 昌輝

  NEC光・無線デバイス研究所

• 畠山 大

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 難波江 宏一

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 鈴木 尚文

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 須藤 信也

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 室谷 義治

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 屋敷 健一郎

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 佐藤 健二

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 森本 卓夫

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 岩田 普

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 難波江 宏一

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 屋敷 健一郎

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 石坂 政茂

  Necナノエレクトロニクス研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• ドゥ メルリール

  NECシステムデバイス研究所

• 石坂 政茂

  NECシステムプラットフォーム研究所

• 芝和 宏

  Necナノエレクトロニクス研究所

• 森本 卓夫

  NEC・ULSIデバイス開発研究所

• 佐藤 健二

  Necシステムipコア研究所

• 石坂 政茂

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 徳留 圭一

  日本電気株式会社

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著作論文

• C-4-11 Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造AlGaInAs-MQW-DFB-LDの120℃-10Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造非温調10 Gb/s AlGaInAs-MQW-FP-LD(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
• C-4-8 Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造AlGaInAs-MQW-FP-LDの110℃-10Gb/s動作(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
• 高速EA変調器を用いた40Gb/s-NRZ伝送特性の解析
• CS-3-3 アクティブMMIによるFTTH用1V駆動レーザー(CS-3. 高機能・低コスト化が進むメトロ・アクセス用光部品の最新動向, エレクトロニクス1)
• 低駆動電圧アクティブMMIレーザの動特性(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• 低駆動電圧アクティブMMIレーザの動特性(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• CS-4-4 インナーストライプ型青紫色半導体レーザの高信頼動作(CS-4.窒化物/ワイドバンドギャップ光半導体とその応用の新展開,シンポジウム)
• C-4-14 液晶チューナブルミラーを用いた外部共振器型波長可変レーザ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
• 低駆動電圧アクティブMMIレーザの動特性(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• 低駆動電圧アクティブMMIレーザの動特性(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• C-4-42 アクティブMMIによる低消費電力型高出力励起レーザー
• C-4-3 S、C、L帯に亘る高出力マイクロアレイ波長選択光源の一括作製
• InP基板上のZnCdSeの成長

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