笠原 健一 | 立命館大学大学院理工学研究科

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概要

• 同名の論文著者
• 立命館大学大学院理工学研究科の論文著者

関連著者

• 笠原 健一

  立命館大学

• 笠原 健一

  立命館大学大学院理工学研究科

• 清水 省吾

  立命館大学理工学部

• 清水 省吾

  立命館大学大学院理工学研究科

• 牧田 紀久夫

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 大矢 昌輝

  Nec システムデバイス研究所

• 枝村 忠孝

  浜松ホトニクス(株)中央研究所

• 秋草 直大

  浜松ホトニクス(株)中央研究所

• 難波江 宏一

  NECシステムデバイス研究所

• 須藤 信也

  NECシステムデバイス研究所

• 佐々木 達也

  NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所

• 佐々木 達也

  Necシステムデバイス研究所

• 佐々木 達也

  日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部

• 大矢 昌輝

  NECシステムデバイス研究所

• 浜本 貴一

  NECシステムデバイス研究所

• 難波江 宏一

  NEC システムデバイス研究所

• 須藤 信也

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 中田 武志

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 牧田 紀久夫

  Nec ナノエレクトロニクス研

• 佐々木 達也

  Nec 光・無線デバイス研

• 秋草 直大

  浜松ホトニクス(株)開発本部

• 秋草 直大

  浜松ホトニクス

• 枝村 忠孝

  浜松ホトニクス

• 熊崎 直樹

  立命館大学

• 高木 陽平

  立命館大学

• 芝 和宏

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 芝 和宏

  NECシステムデバイス研究所

• モハマド ダニアル

  立命館大学理工学部

• ダニアル モハマド

  立命館大学理工学部

• 芝 和宏

  NEC光デバイス事業部

• 中田 武志

  NECシステムデバイス研究所

• 牧田 紀久夫

  NECシステムデバイス研究所

• 芝和 宏

  Necナノエレクトロニクス研究所

• 石原 幹斗

  立命館大学

• 石原 純

  立命館大学大学院理工学研究科

• 久保 類

  立命館大学理工学研究科

• 藤田 和上

  浜松ホトニクス(株)中央研究所

• 佐々木 達也

  NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所

• 熊本 哲郎

  立命館大学

• 須藤 信也

  NEC システムデバイス研究所

• 浜本 貴一

  NEC システムデバイス研究所

• 佐藤 由章

  立命館大学大学院理工学研究科

• 寺村 晃彦

  立命館大学大学院理工学研究科

• 佐久間 吉彦

  立命館大学大学院理工学研究科

• 小島 修司

  立命館大学大学院理工学研究科

• 大塚 岳夫

  大阪大学先端科学イノベーションセンター

• 三浦 伸仁

  (株)カネカ先端材料開発研究所

• 片岡 誉

  立命館大学理工学部

• 森本 恭弘

  立命館大学理工学部

• 古田 峻

  立命館大学理工学部

• 内田 貴之

  立命館大学理工学研究科

• 赤井 健

  立命館大学理工学研究科

• 佐野 史貴

  立命館大学理工学研究科

• 下原 宏章

  立命館大学理工学研究科

• 赤井 健彦

  立命館大学理工学研究科

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著作論文

• C-4-26 量子カスケードレーザの遠視野像(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• ファブリ・ペロー型量子カスケード・レーザの線幅増大係数の測定(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• C-4-11 量子カスケードレーザ相対強度雑音のパラメータ依存性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• C-4-4 量子カスケード・レーザの中空ファイバ伝送効率(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• CS-3-3 アクティブMMIによるFTTH用1V駆動レーザー(CS-3. 高機能・低コスト化が進むメトロ・アクセス用光部品の最新動向, エレクトロニクス1)
• 低駆動電圧アクティブMMIレーザの動特性(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• InAlAs-APD過剰雑音の高精度測定(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
• InAIAs-APD過剰雑音の高精度測定(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
• 40Gbps通信用導波路型アバランシェフォトダイオード(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
• 40Gbps通信用導波路型アバランシェフォトダイオード(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
• 40Gbps通信用導波路型アバランシェフォトダイオード(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
• 低駆動電圧アクティブMMIレーザの動特性(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• 低駆動電圧アクティブMMIレーザの動特性(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• 低駆動電圧アクティブMMIレーザの動特性(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• 有機EL素子のプラズモン発光とピーク波長(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• ペルチェ動作6.1μm量子カスケードレーザの相対雑音強度(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• B-10-26 ラマン増幅器中における四光波混合信号強度の波長依存性(B-10.光通信システムB(光通信方式,光通信機器,デバイスのシステム応用,光通信網・規格),一般セッション)
• C-4-36 ラマン増幅器中におけるFWM信号強度の波長依存性(II)(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)

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