中田 武志 | NECナノエレクトロニクス研究所
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概要
関連著者
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中田 武志
NECナノエレクトロニクス研究所
-
牧田 紀久夫
NECナノエレクトロニクス研究所
-
牧田 紀久夫
Nec ナノエレクトロニクス研
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芝 和宏
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
芝 和宏
NEC光デバイス事業部
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芝和 宏
Necナノエレクトロニクス研究所
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竹内 剛
Nec光無線デバイス研究所
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中田 武志
NECシステムデバイス研究所
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牧田 紀久夫
NECシステムデバイス研究所
-
田口 剣申
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
-
竹内 剛
Nec光・無線デバイス研究所
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水木 恵美子
NECナノエレクトロニクス研究所
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渡邊 功
Nec化合物デバイス(株)
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鳥飼 俊敬
Necシステムデバイス研究所
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芝 和宏
NECシステムデバイス研究所
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中田 武志
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
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牧田 紀久夫
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
-
中田 武志
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
-
田口 剣申
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
-
牧田 紀久夫
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
-
笠原 健一
立命館大学
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笠原 健一
立命館大学大学院理工学研究科
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渡邊 功
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
-
芝 和宏
NECナノエレクトロニクス研究所
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辻 正芳
日本電気(株) 光エレクトロニクス研究所
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清水 省吾
立命館大学理工学部
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林 雅子
Nec光エレクトロニクス研究所
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中田 武志
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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牧田 紀久夫
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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鳥飼 俊敬
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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清水 省吾
立命館大学大学院理工学研究科
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鳥飼 俊敬
Necシステムデバイス・基礎研究本部
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渡邉 さわき
Necナノエレクトロニクス研究所
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深津 公良
NECシステムデバイス研究所
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竹内 剛
Necシステムプラットフォーム研究所
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深津 公良
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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加藤 友章
NEC光・無線デバイス研究所
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田口 剣申
NEC光エレクトロニクス研究所
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加藤 友章
Nec光・超高周波デバイス研究所
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中田 武志
NEC 光・無線デバイス研究所
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竹内 剛
NEC 光・無線デバイス研究所
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牧田 紀久夫
NEC 光・無線デバイス研究所
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石原 純
立命館大学大学院理工学研究科
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牧田 紀久夫
NEC光エレクトロニクス研究所
-
竹内 剛
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
-
鳥飼 俊敬
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
-
中田 武志
NEC光エレクトロニクス研究所
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朔晦 正志
日本電気株式会社
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林 雅子
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
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渡辺 さわき
NECナノエレクトロニクス研究所
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加藤 友章
日本電気(株)
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高橋 成五
NECシステムプラットフォーム研究所
-
鈴木 康之
日本電気株式会社
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佐々木 達也
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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佐々木 達也
Necシステムデバイス研究所
-
佐々木 達也
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部
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竹内 剛
NEC光エレクトロニクス研究所
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福知 清
システムプラットフォーム研究所
-
福知 清
C&c メディア研究所
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遠藤 健司
Nec化合物デバイス(株)
-
鈴木 康之
Nec 光・無線デバイス研究所
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天宮 泰
NEC 光・無線デバイス研究所
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加藤 友章
NEC 光・無線デバイス研究所
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鳥飼 俊敬
NEC 光・無線デバイス研究所
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次田 拓実
NEC システムデバイス研究所
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田口 剣申
NEC 光エレクトロニクス研究所
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正野 篤士
NEC化合物デバイス(株)
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井元 康雅
NEC化合物デバイス(株)
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牧田 紀久夫
NEC光・無線研究所
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朔晦 正志
日本電気(株)伝送デバイス事業部
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富田 章久
JST量子情報システムアーキテクチャ
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竹内 剛
日本電気(株)光エレクトロニクス研究所
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芝 和宏
NEC光・無線デバイス研究所
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中田 武志
NEC光・無線デバイス研究所
-
深津 公良
NEC光・無線デバイス研究所
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鳥飼 俊敬
NEC光・無線デバイス研究所
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渡辺 功
NECシステムデバイス・基礎研究本部
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朔晦 正志
第二伝送事業部
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福知 清
C&C メディア研究所
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辻 正芳
NEC光エレクトロニクス研究所
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福知 清
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所 C& Cメディア研究所
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水木 恵美子
R&Dサポートセンター
-
次田 拓実
R&Dサポートセンター
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角野 雅芳
NECシステムデバイス研究所
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渡邊 功
NEC光エレクトロニクス研究所
-
山片 茂樹
NEC誘導光電事業部
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渡邉 さわき
NEC システムデバイス研究所
-
芝 和宏
NEC システムデバイス研究所
-
水木 恵美子
NEC システムデバイス研究所
-
渡辺 さわき
NECシステムデバイス研究所
-
水木 恵美子
NECシステムデバイス研究所
-
佐々木 達也
Nec 光・無線デバイス研
-
天宮 泰
Nec光・無線デバイス研究所
-
富田 章久
北海道大学
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富田 章久
北海道大学大学院情報科学研究科
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高橋 成五
Nec
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福知 清
日本電気(株)
-
辻 正芳
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
著作論文
- C-4-16 導波路型アバランシェ・フォトダイオードを用いた高感度 40Gb/s-APD 光受信器
- InAlAs-APD過剰雑音の高精度測定(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
- InAIAs-APD過剰雑音の高精度測定(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
- 40Gbps通信用導波路型アバランシェフォトダイオード(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 40Gbps通信用導波路型アバランシェフォトダイオード(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 40Gbps通信用導波路型アバランシェフォトダイオード(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- C-4-37 10Gb/s小型光受信モジュール用高感度プレーナ型APD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-4-12 ゲートモードアバランシェフォトダイオード光子検出器のアフターパルスモデル(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-1 1.31μm/1.55μm 対応 40Gb/s 耐高光入力装荷型受光素子
- 導波路型構造を用いた低電圧・高速アバランシェ・フォトダイオード
- 導波路型構造を用いた低電圧・高速アバランシェ・フォトダイオード
- 導波路型構造を用いた低電圧・高速アバランシェ・フォトダイオード
- C-4-31 導波路型構造を用いた10Gbps低電圧動作高感度アバランシェ・フォトダイオード
- 1.55μm帯アクセス系レシーバ用導波路型受光素子
- C-3-85 40Gb/s光受信器用高効率導波路型受光素子
- BCS-2-4 半導体受光素子の最新動向(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- BCS-2-4 半導体受光素子の最新動向(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- 高速アクセスネットワーク対応アバランシェホトダイオードの開発(フォトニックネットワーク/制御,光制御(波長変換・スイッチング等),光波/量子通信,GMPLS,アクセス網技術,一般)
- C-4-23 光インターコネクション用マルチモードファイバ対応PIN-PD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 高信頼メサ型InAlAsアバランシェフォトダイオード(光アクセスに向けた光ファイバ,光デバイス・モジュール,一般)
- C-4-16 高信頼メサ型InAlAsアバランシェフォトダイオード(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-36 非対称ガイド層構造を用いた高感度10Gb/s導波路型アバランシェ・フォトダイオード(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- InAlGaAs/InAlAs超格子APD高速限界の検討
- InAlGaAs/InAlAs超格子APD高速限界の検討
- アクセス、及び幹線系光受信器用導波路型受光素子
- プレーナ型超格子APD
- ガスーソースMBE法による超格子APD高性能化の検討
- 計測用(波長1.5μm)レンズ集積大口径InAlGaAs/InAlAs超格子
- 10 Gb/s光通信用高量子効率・低暗電流プレーナ型超格子APD
- 高速アクセスネットワーク対応アバランシェホトダイオードの開発