渡邊 功 | Nec化合物デバイス(株)
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
渡邊 功
Nec化合物デバイス(株)
-
田口 剣申
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
-
渡邊 功
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
-
牧田 紀久夫
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
-
辻 正芳
日本電気(株) 光エレクトロニクス研究所
-
田口 剣申
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
-
牧田 紀久夫
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
-
林 雅子
Nec光エレクトロニクス研究所
-
中田 武志
NECナノエレクトロニクス研究所
-
中田 武志
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
-
林 雅子
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
-
中田 武志
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
-
牧田 紀久夫
NECナノエレクトロニクス研究所
-
山片 茂樹
NEC誘導光電事業部
-
田口 剣申
NEC光エレクトロニクス研究所
-
牧田 紀久夫
NEC光エレクトロニクス研究所
-
辻 正芳
NEC光エレクトロニクス研究所
-
渡邊 功
NEC光エレクトロニクス研究所
-
蘆立 修一
東京電力(株)電力技術研究所
-
清水 淳一
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
佐藤 健二
東洋通信機
-
黒澤 潔
東京電力(株)
-
佐藤 健二
NEC光・無線デバイス研究所
-
大島 正明
東京電力(株)開発研究所
-
黒澤 潔
東京電力(株)技術開発研究所
-
御田村 和宏
Nec化合物デバイス株式会社
-
清水 淳一
NEC化合物デバイス株式会社
-
山口 昌幸
NEC化合物デバイス事業部
-
遠藤 健司
Nec化合物デバイス(株)
-
和田 茂己
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
中田 武志
NECシステムデバイス研究所
-
牧田 紀久夫
NECシステムデバイス研究所
-
正野 篤士
NEC化合物デバイス(株)
-
井元 康雅
NEC化合物デバイス(株)
-
細田 哲也
NEC化合物デバイス株式会社
-
渡邊 泰弘
NEC化合物デバイス株式会社
-
牧田 紀久夫
NEC光・無線研究所
-
大島 正明
東京電力 技開研
-
大島 正明
東京電力(株)技術開発研究所
-
大島 正明
オリジン電気
-
大島 正明
東京電力株式会社
-
中田 武志
NEC光エレクトロニクス研究所
-
牧田 紀久夫
Nec ナノエレクトロニクス研
-
山片 茂樹
日本電気(株)誘導光電事業部
-
辻 正芳
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
著作論文
- C-4-37 10Gb/s小型光受信モジュール用高感度プレーナ型APD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-3-52 10Gb/s用プリアンプ内蔵小型APD光受信モジュール
- InAlGaAs/InAlAs超格子APD高速限界の検討
- InAlGaAs/InAlAs超格子APD高速限界の検討
- プレーナ型超格子APD
- ガスーソースMBE法による超格子APD高性能化の検討
- 計測用(波長1.5μm)レンズ集積大口径InAlGaAs/InAlAs超格子
- 10 Gb/s光通信用高量子効率・低暗電流プレーナ型超格子APD
- アイセーフ波長帯計測用InAlGaAs/InAlAs超格子APD
- アイセーフ波長帯レーザ計測用InAlGaAs/InAlAs超格子APD
- 加入者系用低暗電流メサ型超格子APD
- InAlAs/InAlGaAs 4元井戸超格子APD
- 低暗電流・擬似プレーナ型超格子APD
- InAlGaAs4元井戸超格子APDの信頼性試験
- 低暗電流150GHz-GB積InAlGaAs4元井戸超格子APD