計測用(波長1.5μm)レンズ集積大口径InAlGaAs/InAlAs超格子
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概要
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近年, アイセーフ波長帯を用いた光計測システム高度化のため, より高性能な計測用半導体受光素子が要求される。そこで我々は, 高度光通信用として有効性が実証されているInAlGaAs/InAlAs系超格子APDに注目し, 計測用受光素子として要求される(1) 高感度化(超格子構造によるイオン化率改善), (2) 大口径化/低暗電流化の検討を行っている。前回, 計測用としてInAlGaAs/InAlAs超格子APDを初めて試作し, 受光径100μmφ, 増倍暗電流5nAと良好な素子特性を実現, 報告した。今回, 光の入射側である基板裏面にマイクロレンズをモノリシック集積することにより, 接合径100μmφに対し有効受光径約200μmφの大口径化を実現したので報告する。
- 1997-03-06
著者
-
田口 剣申
NEC光エレクトロニクス研究所
-
渡邊 功
Nec化合物デバイス(株)
-
林 雅子
Nec光エレクトロニクス研究所
-
中田 武志
NECナノエレクトロニクス研究所
-
牧田 紀久夫
NEC光エレクトロニクス研究所
-
田口 剣申
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
-
中田 武志
NEC光エレクトロニクス研究所
-
辻 正芳
NEC光エレクトロニクス研究所
-
渡邊 功
NEC光エレクトロニクス研究所
-
山片 茂樹
NEC誘導光電事業部
-
辻 正芳
日本電気(株) 光エレクトロニクス研究所
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