650nmGI-POF光リンク用高速GaAs PIN-PD
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概要
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現在、GI型プラスチックファイバ(GI-POF)の高速伝送特性が注目されており、この光リンクの光源としては可視光LD/LEDが、受光素子としては、現状、Si PIN-PDが適用されている。しかしながら、実用化に向けて、特に受光素子に注目すると、低価格化と共に、大口径化、低駆動電圧、更には将来の広帯域化に対応可能な素子が必要である。今回、我々は波長650nmの光に対しSiより吸収係数の大きなGaAs系に注目し、PIN-PD を試作、良好な素子特性をえたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
山本 雅子
NEC光エレクトロニクス研究所
-
田口 剣申
NEC光エレクトロニクス研究所
-
牧田 紀久夫
NEC光エレクトロニクス研究所
-
丹生 隆之
NEC光エレクトロニクス研究所
-
山崎 俊太郎
NEC光エレクトロニクス研究所
-
椙田 耕太郎
NEC化合物デバイス事業部
-
山崎 俊太郎
NECインターネットシステム研究所
-
辻 正芳
NEC光エレクトロニクス研究所
-
辻 正芳
日本電気(株) 光エレクトロニクス研究所
-
山崎 俊太郎
Nec共通基盤ソフトウェア研究所:慶應義塾大学先導研究センター
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