アイセーフ波長帯計測用InAlGaAs/InAlAs超格子APD
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概要
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アイセーフ波長1.5μm帯域光計測システムを高度化する上で、高性能な半導体受光素子の開発が望まれている。我々はこの目的のために、超格子構造のバンド不連続を利用したイオン化率比制御型の超格子APDに注目し、且つ計測用として不可欠な大口径化も具備したアイセーフ波長帯計測用InAlGaAs/InAlAs超格子アバランシェフォトダイオード(APD)を提案、試作した。デバイス構造の検討により、有効受光系100μmφにおいて推定実効イオン化率比〜0.1、増倍暗電流〜5nAを達成した。既存のInGaAs-APDに対し、約2dBの感度改善が予測され、計測用としての優位性が実証された。
- 1997-02-13
著者
-
黒澤 潔
東京電力(株)
-
渡邊 功
Nec化合物デバイス(株)
-
黒澤 潔
東京電力(株)技術開発研究所
-
林 雅子
Nec光エレクトロニクス研究所
-
田口 剣申
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
-
渡邊 功
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
-
牧田 紀久夫
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
-
山片 茂樹
NEC誘導光電事業部
-
蘆立 修一
東京電力(株)電力技術研究所
-
辻 正芳
日本電気(株) 光エレクトロニクス研究所
-
林 雅子
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
-
山片 茂樹
日本電気(株)誘導光電事業部
-
田口 剣申
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
-
牧田 紀久夫
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
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