アイセーフ波長帯レーザ計測用InAlGaAs/InAlAs超格子APD
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概要
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近年、アイセーフ波長1.5μm帯域でのライダ、測距装置および送電線樹木等を対象としたヘリ搭載光計測システムの開発が注目されている。この様なシステムを構築する上で、光検知部には既存のInGaAs系PIN-PD或いはAPDを適用するのが一般的であるが、計測用としてより高性能な半導体受光素子の開発は、システム高度化の上で重要である。この候補として我々は、現在高速光通信用として進展しているInAlGaAs/InAlAs系超格子APDに注目し、(1)高感度化(超格子構造によるイオン化率比改善)、(2)大口径化/低暗電流化が求められる計測用受光素子の開発を行っている。今回、アイセーフ波長帯計測用InAlGaAs/InAlAs超格子APDを試作、超格子増倍層厚0.7μm、受光径100μmφ素子で、増倍暗電流5nAと良好な素子特性を実現したので報告する。
- 1996-09-18
著者
-
田口 剣申
NEC光エレクトロニクス研究所
-
渡邊 功
Nec化合物デバイス(株)
-
大島 正明
東京電力(株)開発研究所
-
林 雅子
Nec光エレクトロニクス研究所
-
牧田 紀久夫
NEC光エレクトロニクス研究所
-
田口 剣申
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
-
大島 正明
東京電力 技開研
-
大島 正明
東京電力(株)技術開発研究所
-
大島 正明
オリジン電気
-
大島 正明
東京電力株式会社
-
辻 正芳
NEC光エレクトロニクス研究所
-
渡邊 功
NEC光エレクトロニクス研究所
-
山片 茂樹
NEC誘導光電事業部
-
蘆立 修一
東京電力(株)電力技術研究所
-
辻 正芳
日本電気(株) 光エレクトロニクス研究所
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