低暗電流150GHz-GB積InAlGaAs4元井戸超格子APD
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
超格子APDは10Gb/s帯で小型かつ簡易に高感度受信器が構成できることで期待されているが、更なる感度改善や2.5-10Gb/s帯への適応領域拡大を考慮すると、高GB積と低暗電流特性を兼ね備えていることが必要である。今回、電界緩和層の薄膜化によりIII-V族では最大のGB積(150GHz)を達成し、同時に最低暗電流(増倍暗電流6nA)を実現したので報告する。
- 1995-03-27
著者
-
渡邊 功
Nec化合物デバイス(株)
-
田口 剣申
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
-
渡邊 功
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
-
牧田 紀久夫
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
-
辻 正芳
日本電気(株) 光エレクトロニクス研究所
-
田口 剣申
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
-
牧田 紀久夫
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
関連論文
- アクセス系向け送受信半導体光集積素子の開発状況
- 1.3μm帯フォトダイオードを分波フィルターとする1.3/1.55μm双方向WDM通信用光集積素子の検討
- 選択MOVPEを用いた双方向WDM通信用光集積素子
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子[III] : バンドギャップ制御成長による送受信素子
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子(II) : InGaAsP/InP方向性結合器型WDMカップラ
- C-4-37 10Gb/s小型光受信モジュール用高感度プレーナ型APD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-3-52 10Gb/s用プリアンプ内蔵小型APD光受信モジュール
- C-3-4 2.5Gb/s GTTH用 PLCモジュール
- 1.55μm帯アクセス系レシーバ用導波路型受光素子
- C-3-85 40Gb/s光受信器用高効率導波路型受光素子
- 650nmGI-POF光リンク用高速GaAs PIN-PD
- C-3-113 MEMSを用いたサージ光抑制器の開発(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- InAlGaAs/InAlAs超格子APD高速限界の検討
- InAlGaAs/InAlAs超格子APD高速限界の検討
- アクセス、及び幹線系光受信器用導波路型受光素子
- プレーナ型超格子APD
- ガスーソースMBE法による超格子APD高性能化の検討
- 計測用(波長1.5μm)レンズ集積大口径InAlGaAs/InAlAs超格子
- 10 Gb/s光通信用高量子効率・低暗電流プレーナ型超格子APD
- アイセーフ波長帯計測用InAlGaAs/InAlAs超格子APD
- アイセーフ波長帯レーザ計測用InAlGaAs/InAlAs超格子APD
- 加入者系用低暗電流メサ型超格子APD
- InAlAs/InAlGaAs 4元井戸超格子APD
- 低暗電流・擬似プレーナ型超格子APD
- InAlGaAs4元井戸超格子APDの信頼性試験
- 低暗電流150GHz-GB積InAlGaAs4元井戸超格子APD