加入者系用低暗電流メサ型超格子APD
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概要
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将来の光加入者系(特に画像分配系などにおいては、PDS構成の光多分岐により生じるロスを補償する必要があり、受信器側で簡易に損失補償ができればその意義は大きい。我々は、高速・高感度特性を高均一・高歩留まりに実現できる超格子APDを2.5〜1OGb/s帯用次世代受光素子として開発してきた。10Gb/s中短距離の幹線系用としては高信頼化可能な疑似プレーナ素子の開発を進めている。一方、光加入者系用としては、メサ型素子がその単純な素子構成であるが故に量産性・経済性に優れる利点を有している。今後さらに加入者用としてのメサ型素子の適用範囲を広げるには、より低ビットレート(600Mb/s〜2.5Gb/s帯)でも暗電流による感度劣化が生じないように従来(増倍暗電流の典型値15〜20nA)よりもさらに低増倍暗電流化を達成する必要がある。今回,この暗電流低減のため超格子増倍層を0.5μmと厚くしたメサ型超格子APDを試作し、低暗電流特性と良好な高速応答特性を同時に実現できたので報告する。
- 1996-09-18
著者
-
渡邊 功
Nec化合物デバイス(株)
-
林 雅子
Nec光エレクトロニクス研究所
-
田口 剣申
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
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渡邊 功
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
-
牧田 紀久夫
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
-
辻 正芳
日本電気(株) 光エレクトロニクス研究所
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林 雅子
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
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田口 剣申
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
-
牧田 紀久夫
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
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