ガスーソースMBE法による超格子APD高性能化の検討
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概要
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InAlGaAs四元井戸型超格子(SL)-APDは, 高速・低暗電流特性に優れ, 2.5〜10Gb/s小型・高感度受信器としての展開が期待されている. 本報告は, SL-APD作製の基本技術であるガスソ-スMBE法に関するもので, 10Gb/s用SL-APD高性能化に着目した設計指針の明確化を行い, 結晶成長に要求される厳密制御について検討した. これより, 加入者適用メサ型素子においてGB積〜150GHz, 増倍暗電流〜6nAの最高性能実証, プレーナ型素子においても10Gb/s幹線系適用レベルの素子特性を実現した.
- 1997-06-17
著者
-
渡邊 功
Nec化合物デバイス(株)
-
林 雅子
Nec光エレクトロニクス研究所
-
中田 武志
NECナノエレクトロニクス研究所
-
田口 剣申
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
-
渡邊 功
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
-
中田 武志
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
-
牧田 紀久夫
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
-
辻 正芳
日本電気(株) 光エレクトロニクス研究所
-
林 雅子
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
-
中田 武志
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
-
田口 剣申
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
-
牧田 紀久夫
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
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