高信頼メサ型InAlAsアバランシェフォトダイオード(光アクセスに向けた光ファイバ,光デバイス・モジュール,一般)
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概要
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アバランシェフォトダイオード(APD)は、ギガビット帯小型受信器のキーデバイスである。近年、光アクセス系においても高感度化に対応するためにAPDの導入が検討されており、素子のさらなる高感度化、低コスト化が期待されている。本背景のもと、我々はメサ型構造を有するAPDに注目した。メサ型APDは単純構造であり、高性能化への設計指針を素子特性に反映させやすい。従来のプレーナ構造で必須な拡散・イオン注入等の煩雑なプロセスを介さないため、量産性、低コスト化に優位である。今回、メサ型InAlAs-APDを試作し、ブレークダウン電圧19.8V、量子効率80%(@λ=1.31〜1.625μm)、暗電流30nA(@M=10)、最大帯域11GHz、利得帯域幅積(GB積)120GHzと実用的な特性を得た。さらに、180℃における高温加速試験において1000時間程度の素子寿命を確認し、素子寿命100万時間以上(@85℃)を実現できる見通しが得られた。
- 2006-05-12
著者
-
水木 恵美子
NECナノエレクトロニクス研究所
-
牧田 紀久夫
NECナノエレクトロニクス研究所
-
芝 和宏
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
芝 和宏
NEC光デバイス事業部
-
中田 武志
NECナノエレクトロニクス研究所
-
中田 武志
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
-
牧田 紀久夫
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
-
芝和 宏
Necナノエレクトロニクス研究所
-
牧田 紀久夫
Nec ナノエレクトロニクス研
-
渡邉 さわき
NEC システムデバイス研究所
-
芝 和宏
NEC システムデバイス研究所
-
水木 恵美子
NEC システムデバイス研究所
-
渡邉 さわき
Necナノエレクトロニクス研究所
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