10 Gb/s光通信用高量子効率・低暗電流プレーナ型超格子APD
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概要
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超格子APDは10 Gb/sの小型高感度受信器を構成できる素子として実証され, 実用化に必要な信頼性検討がすすめられている。特に, 高信頼の要求される幹線系システム(素子寿命100万時間以上)適用に対して, 我々はTiイオン注入ガードリング構造を特徴とする擬似プレーナ超格子APDを提案, p基板上構造での試作を行い, 基本動作・メサ型に対する信頼性上の優位性上を報告してきた。本構造は高速化(低容量化)に有利な裏面入射構造を基本としており, 実用化の上では基板吸収の少ない半絶緑性(SI)基板適用による高量子効率化(p基板上では量子効率〜25%)が不可欠である。しかし, 従来試作ではSI基板上の結晶品質及びプロセス条件の不十分もあり暗電流がμAオーダという問題点を有していた。今回, p基板素子における低暗電流化と同様の手法を用いてSI基板上の擬似プレーナ構造を試作, 10 Gb/sシステム実用レベルのサブμAオーダの低暗電流・高量子効率・高速応答特性を兼ね備えた素子を初めて実現できたので報告する。
- 1997-03-06
著者
-
渡邊 功
Nec化合物デバイス(株)
-
中田 武志
NECナノエレクトロニクス研究所
-
田口 剣申
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
-
渡邊 功
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
-
中田 武志
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
-
牧田 紀久夫
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
-
辻 正芳
日本電気(株) 光エレクトロニクス研究所
-
中田 武志
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
-
田口 剣申
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
-
牧田 紀久夫
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
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