InAlGaAs/InAlAs超格子APD高速限界の検討
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概要
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InAlGaAs/InAlAs超格子APDは、ギガビット帯小型受信器のキーデバイスとして開発が進められてきている。本報告では、超格子APDの高速限界を明確にすることを目的として、増倍層薄膜化の検討を行い、これに基づく素子試作の結果について述べる。超格子増倍層薄膜化により、増倍立ち上がり時間が短縮しGB積は順当に増大するが、一方高電界印加による増倍層でのトンネル電流が顕在化してくることが明らかになった。試作した増倍層厚0.126μm素子においては、GB積200GHz、増倍暗電流700nAが達成され、200Gbpsシステム適用可能な実用特性を初めて実現した。
- 1999-06-25
著者
-
牧田 紀久夫
NECナノエレクトロニクス研究所
-
渡邊 功
Nec化合物デバイス(株)
-
中田 武志
NECナノエレクトロニクス研究所
-
田口 剣申
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
-
渡邊 功
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
-
中田 武志
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
-
牧田 紀久夫
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
-
中田 武志
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
-
田口 剣申
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
-
牧田 紀久夫
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
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