田口 剣申 | 日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所

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概要

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• 田口 剣申

  日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所

• 牧田 紀久夫

  日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所

• 田口 剣申

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• 牧田 紀久夫

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• 渡邊 功

  Nec化合物デバイス(株)

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  日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所

• 辻 正芳

  日本電気(株) 光エレクトロニクス研究所

• 中田 武志

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 中田 武志

  日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所

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  日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所

• 林 雅子

  Nec光エレクトロニクス研究所

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  日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所

• 牧田 紀久夫

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 竹内 剛

  Nec光無線デバイス研究所

• 黒澤 潔

  東京電力(株)

• 黒澤 潔

  東京電力(株)技術開発研究所

• 福知 清

  C&c メディア研究所

• 朔晦 正志

  日本電気(株)伝送デバイス事業部

• 竹内 剛

  Nec光・無線デバイス研究所

• 竹内 剛

  日本電気(株)光エレクトロニクス研究所

• 朔晦 正志

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• 福知 清

  日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所 C& Cメディア研究所

• 山片 茂樹

  NEC誘導光電事業部

• 蘆立 修一

  東京電力(株)電力技術研究所

• 山片 茂樹

  日本電気(株)誘導光電事業部

• 福知 清

  日本電気(株)

• 辻 正芳

  日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所

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著作論文

• InAlGaAs/InAlAs超格子APD高速限界の検討
• InAlGaAs/InAlAs超格子APD高速限界の検討
• アクセス、及び幹線系光受信器用導波路型受光素子
• プレーナ型超格子APD
• ガスーソースMBE法による超格子APD高性能化の検討
• 10 Gb/s光通信用高量子効率・低暗電流プレーナ型超格子APD
• アイセーフ波長帯計測用InAlGaAs/InAlAs超格子APD
• 加入者系用低暗電流メサ型超格子APD
• InAlAs/InAlGaAs 4元井戸超格子APD
• 低暗電流・擬似プレーナ型超格子APD
• InAlGaAs4元井戸超格子APDの信頼性試験
• 低暗電流150GHz-GB積InAlGaAs4元井戸超格子APD

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