InAlAs/InAlGaAs 4元井戸超格子APD
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概要
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2.5〜10Gb/sで小型・高感度な光受信器を構成できるものとして期待される高速・低暗電流なInAlAs/InAlGaAs4元井戸超格子アバランシェフォトダイオード(APD)の設計・特性について報告する。利得帯域幅積(GB積)120〜150GHz、最大3dB帯域15GHz、増倍暗電流6〜20nAと良好な特性を得た。さらに、素子内部の電界プロファイル設計により、メサ型構造で推定寿命10万時間(@50℃)という実用可能レベルの信頼性を初めて得た。一方、さらなる高信頼化をめざし、Tiガードリングを有する新規プレーナ構造を提案、基本動作を実証した。
- 1996-06-18
著者
-
渡邊 功
Nec化合物デバイス(株)
-
林 雅子
Nec光エレクトロニクス研究所
-
田口 剣申
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
-
渡邊 功
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
-
牧田 紀久夫
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
-
辻 正芳
日本電気(株) 光エレクトロニクス研究所
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林 雅子
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
-
田口 剣申
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
-
牧田 紀久夫
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
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