田口 剣申 | 日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
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概要
関連著者
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田口 剣申
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
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渡邊 功
Nec化合物デバイス(株)
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牧田 紀久夫
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
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田口 剣申
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
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牧田 紀久夫
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
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林 雅子
Nec光エレクトロニクス研究所
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渡邊 功
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
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辻 正芳
日本電気(株) 光エレクトロニクス研究所
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竹内 剛
Nec光無線デバイス研究所
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中田 武志
NECナノエレクトロニクス研究所
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竹内 剛
Nec光・無線デバイス研究所
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田口 剣申
NEC光エレクトロニクス研究所
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牧田 紀久夫
NEC光エレクトロニクス研究所
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小松 啓郎
Nec
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佐々木 達也
Necシステムデバイス研究所
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小松 啓郎
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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中田 武志
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
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佐々木 達也
Nec 光・無線デバイス研
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中田 武志
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
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竹内 剛
NEC光エレクトロニクス研究所
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林 雅子
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
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浜本 貴一
NECシステムデバイス研究所
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小松 啓郎
NEC光エレクトロニクス研究所
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牧田 紀久夫
NECナノエレクトロニクス研究所
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浜本 貴一
NEC光エレクトロニクス研究所
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佐々木 達也
NEC光エレクトロニクス研究所
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竹内 剛
NEC 光・無線デバイス研究所
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牧田 紀久夫
NEC 光・無線デバイス研究所
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田口 剣申
NEC 光エレクトロニクス研究所
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山片 茂樹
NEC誘導光電事業部
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佐々木 達也
NEC 光・無線デバイス研究所
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小松 啓郎
NEC 光エレクトロニクス研究所
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中田 武志
NEC光エレクトロニクス研究所
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朔晦 正志
日本電気株式会社
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辻 正芳
NEC光エレクトロニクス研究所
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渡邊 功
NEC光エレクトロニクス研究所
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蘆立 修一
東京電力(株)電力技術研究所
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黒澤 潔
東京電力(株)
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大島 正明
東京電力(株)開発研究所
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黒澤 潔
東京電力(株)技術開発研究所
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福知 清
システムプラットフォーム研究所
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福知 清
C&c メディア研究所
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中田 武志
NEC 光・無線デバイス研究所
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浜本 貴一
NEC 光エレクトロニクス研究所
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林 雅子
NEC 光エレクトロニクス研究所
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佐々木 達也
NEC エレクトロニクス研究所
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朔晦 正志
日本電気(株)伝送デバイス事業部
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大島 正明
東京電力 技開研
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大島 正明
東京電力(株)技術開発研究所
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大島 正明
オリジン電気
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大島 正明
東京電力株式会社
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竹内 剛
日本電気(株)光エレクトロニクス研究所
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朔晦 正志
第二伝送事業部
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福知 清
C&C メディア研究所
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福知 清
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所 C& Cメディア研究所
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山片 茂樹
日本電気(株)誘導光電事業部
-
福知 清
日本電気(株)
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辻 正芳
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
著作論文
- アクセス系向け送受信半導体光集積素子の開発状況
- 1.3μm帯フォトダイオードを分波フィルターとする1.3/1.55μm双方向WDM通信用光集積素子の検討
- 選択MOVPEを用いた双方向WDM通信用光集積素子
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子[III] : バンドギャップ制御成長による送受信素子
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子(II) : InGaAsP/InP方向性結合器型WDMカップラ
- 1.55μm帯アクセス系レシーバ用導波路型受光素子
- C-3-85 40Gb/s光受信器用高効率導波路型受光素子
- InAlGaAs/InAlAs超格子APD高速限界の検討
- InAlGaAs/InAlAs超格子APD高速限界の検討
- アクセス、及び幹線系光受信器用導波路型受光素子
- プレーナ型超格子APD
- ガスーソースMBE法による超格子APD高性能化の検討
- 計測用(波長1.5μm)レンズ集積大口径InAlGaAs/InAlAs超格子
- 10 Gb/s光通信用高量子効率・低暗電流プレーナ型超格子APD
- アイセーフ波長帯計測用InAlGaAs/InAlAs超格子APD
- アイセーフ波長帯レーザ計測用InAlGaAs/InAlAs超格子APD
- 加入者系用低暗電流メサ型超格子APD
- InAlAs/InAlGaAs 4元井戸超格子APD
- 低暗電流・擬似プレーナ型超格子APD
- InAlGaAs4元井戸超格子APDの信頼性試験
- 低暗電流150GHz-GB積InAlGaAs4元井戸超格子APD