中田 武志 | 日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
中田 武志
NECナノエレクトロニクス研究所
-
田口 剣申
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
-
中田 武志
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
-
牧田 紀久夫
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
-
中田 武志
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
-
田口 剣申
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
-
牧田 紀久夫
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
-
渡邊 功
Nec化合物デバイス(株)
-
渡邊 功
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
-
牧田 紀久夫
NECナノエレクトロニクス研究所
-
辻 正芳
日本電気(株) 光エレクトロニクス研究所
-
林 雅子
Nec光エレクトロニクス研究所
-
林 雅子
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
-
竹内 剛
Nec光無線デバイス研究所
-
福知 清
C&c メディア研究所
-
朔晦 正志
日本電気(株)伝送デバイス事業部
-
竹内 剛
Nec光・無線デバイス研究所
-
竹内 剛
日本電気(株)光エレクトロニクス研究所
-
朔晦 正志
日本電気株式会社
-
福知 清
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所 C& Cメディア研究所
-
福知 清
日本電気(株)
-
辻 正芳
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
著作論文
- InAlGaAs/InAlAs超格子APD高速限界の検討
- InAlGaAs/InAlAs超格子APD高速限界の検討
- アクセス、及び幹線系光受信器用導波路型受光素子
- プレーナ型超格子APD
- ガスーソースMBE法による超格子APD高性能化の検討
- 10 Gb/s光通信用高量子効率・低暗電流プレーナ型超格子APD