InAlGaAs4元井戸超格子APDの信頼性試験
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概要
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超格子APDは2.5-10Gb/s帯で小型かつ簡易に高感度受信器が構成できるため、幹線系のみならず、デジタル画像システムやコンピュータリンク等の高速LANへの応用も期待されている。しかし、その信頼性に関する報告は少ない。今回、3温度水準の高温加速試験によりInAlGaAs4元井戸超格子APDの劣化活性化エネルギーを導出し、素子寿命の推定を行った。その結果、50℃における推定寿命として10万時間以上を得たので報告する。
- 1995-09-05
著者
-
渡邊 功
Nec化合物デバイス(株)
-
田口 剣申
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
-
渡邊 功
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
-
牧田 紀久夫
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
-
辻 正芳
日本電気(株) 光エレクトロニクス研究所
-
田口 剣申
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
-
牧田 紀久夫
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
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