低暗電流・擬似プレーナ型超格子APD
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概要
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超格子APD受信器は小型低消費電力で高感度特性(-27dBm@10Gb/s)を実現できるため、画像分配などの高速加入者系ばかりでなく、10Gb/s幹線系システムにおいても重要である。特に幹線系適用を目的とした場合は、高信頼特性(素子寿命10O万時間以上)実現が不可欠であり、これまで我々はTiイオン注入ガードリング構造をもつ擬似プレーナ超格子APDを提案・報告してきた。既にその基本性能(エッジ増倍の完全抑制)は実証しているが、μAオーダの暗電流特性(1.6μA@増倍率M=10)が問題であった。今回、プロセス条件等の最適化によりサブμAの暗電流(10Gb/s実用レベル)を実現したので報告する。
- 1996-03-11
著者
-
渡邊 功
Nec化合物デバイス(株)
-
田口 剣申
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
-
渡邊 功
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
-
牧田 紀久夫
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
-
辻 正芳
日本電気(株) 光エレクトロニクス研究所
-
田口 剣申
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
-
牧田 紀久夫
日本電気(株) 光・超高周波デバイス研究所
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