佐々木 達也 | NEC光エレクトロニクス研究所
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概要
関連著者
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佐々木 達也
NEC光エレクトロニクス研究所
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佐々木 達也
Necシステムデバイス研究所
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小松 啓郎
NEC光エレクトロニクス研究所
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小松 啓郎
Nec
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小松 啓郎
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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山口 昌幸
NEC光エレクトロニクス研究所
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竹内 剛
NEC光エレクトロニクス研究所
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田口 剣申
NEC光エレクトロニクス研究所
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山口 昌幸
NEC化合物デバイス事業部
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竹内 剛
Nec光無線デバイス研究所
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浜本 貴一
NEC光エレクトロニクス研究所
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牧田 紀久夫
NEC光エレクトロニクス研究所
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竹内 剛
Nec光・無線デバイス研究所
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佐々木 達也
Nec 光・無線デバイス研
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北村 光弘
NEC光エレクトロニクス研究所
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浜本 貴一
NECシステムデバイス研究所
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林 雅子
Nec光エレクトロニクス研究所
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田口 剣申
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
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北村 光弘
Nec
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山崎 裕幸
NECナノエレクトロニクス研究所
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山崎 裕幸
NEC光エレクトロニクス研究所
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工藤 耕治
NEC光エレクトロニクス研究所
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玉貫 岳正
日本電気(株)ネットワーキング研究所
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畠山 大
NECシステムデバイス研究所
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加藤 友章
NEC光・無線デバイス研究所
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山本 雅子
NEC光エレクトロニクス研究所
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牧田 紀久生
NEC光エレクトロニクス研究所
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加藤 友章
Nec光・超高周波デバイス研究所
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石坂 政茂
NECナノエレクトロニクス研究所
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加藤 友章
NEC光エレクトロニクス研究所
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北村 昌太郎
NEC 化合物デバイス(事)
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北村 昌太郎
NEC光エレクトロニクス研究所
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畠山 大
NEC光エレクトロニクス研究所
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石坂 政茂
NEC光エレクトロニクス研究所
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玉貫 岳正
NEC光エレクトロニクス研究所
著作論文
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子[I] : 超低損失埋め込み構造InGaAsP/InP受動光導波路
- 29a-ZF-3 選択MOVPE成長で製作した埋め込み構造曲線導波路の過剰損失評価
- バンドギャップ制御選択MOVPE成長を用いた窓構造光変調器/DFBレーザ集積化光源
- S字形状活性層による SSC 付き光アンプゲートの消光比向上
- アクセス系向け送受信半導体光集積素子の開発状況
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子(II) : InGaAsP/InP方向性結合器型WDMカップラ
- WDM用波長制御DFB LD
- 狭幅選択MOVPEによる1.3μmスポットサイズ変換器集積LDのテーパ導波路形状の制御
- MOVPE選択成長を用いた多波長レーザアレイ
- フレア型1.5μm帯アイセーフパルスLDの大出力特性