和田 茂己 | NEC光・超高周波デバイス研究所

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概要

• 同名の論文著者
• NEC光・超高周波デバイス研究所の論文著者

関連著者

• 和田 茂己

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 徳島 正敏

  日本電気(株)光・超高周波数デバイス研究所

• 藤井 正浩

  日本電気(株)

• 藤井 正浩

  Nec光・無線デバイス研究所

• 藤井 正浩

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 前多 正

  NEC光・無線デバイス研究所

• 和田 茂巳

  日本電気(株)光・超高周波数デバイス研究所

• 徳島 正敏

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 山崎 仁

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 石川 昌興

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 山崎 仁

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 和田 茂己

  NEC システムデバイス研究所

• 和田 茂己

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 藤井 正浩

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 清水 淳一

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• 佐藤 健二

  東洋通信機

• 佐藤 健二

  NEC光・無線デバイス研究所

• 渡邊 功

  Nec化合物デバイス(株)

• 御田村 和宏

  Nec化合物デバイス株式会社

• 清水 淳一

  NEC化合物デバイス株式会社

• 山口 昌幸

  NEC化合物デバイス事業部

• 細田 哲也

  NEC化合物デバイス株式会社

• 渡邊 泰弘

  NEC化合物デバイス株式会社

• 牧田 紀久夫

  NEC光・無線研究所

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著作論文

• 0.1μm Double-Deck-Shaped(DDS)ゲートE/D-HJFETを用いた28GHz/120mW動作GaAs256/258可変分周器IC
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• 高速超低消費電力GaAs 256/258可変分周器IC
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