前多 正 | NEC光・無線デバイス研究所
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概要
関連著者
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前多 正
NEC光・無線デバイス研究所
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藤井 正浩
日本電気(株)
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藤井 正浩
Nec光・無線デバイス研究所
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藤井 正浩
Nec光・超高周波デバイス研究所
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石川 昌興
NEC光・超高周波デバイス研究所
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和田 茂巳
日本電気(株)光・超高周波数デバイス研究所
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和田 茂己
NEC システムデバイス研究所
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和田 茂己
NECデバイスプラットフォーム研究所
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徳島 正敏
日本電気(株)光・超高周波数デバイス研究所
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藤井 正浩
NEC光エレクトロニクス研究所
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山崎 仁
NEC光・超高周波デバイス研究所
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山崎 仁
NECデバイスプラットフォーム研究所
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沼田 圭市
NEC
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吉田 信秀
NEC光・無線デバイス研究所
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吉田 信秀
NECデバイスプラットフォーム研究所
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和田 茂己
NEC光・超高周波デバイス研究所
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徳島 正敏
NEC光・超高周波デバイス研究所
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深石 宗生
NECシステムIPコア研究所
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浅井 周二
日本電気(株)
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浅井 周二
NEC ULSIデバイス開発本部
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前多 正
NEC光エレクトロニクス研究所
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大野 泰夫
Nec光エレクトロニクス研究所
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樋田 光
NEC光・無線デバイス研究所
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前多 正
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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樋田 光
NECエレクトロニクス(株)
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前多 正
Nec 光・超高周波デバイス研
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樋田 光
Necエレクトロニクス
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大野 泰夫
Nec
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沼田 圭市
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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藤井 正浩
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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和田 茂己
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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山崎 仁
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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石川 昌興
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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前多 正
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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山崎 仁
Nec 光・超高周波デバイス研
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筒井 宏彰
NEC ULSIデバイス開発本部
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吉田 信秀
NEC光エレクトロニクス研究所
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沼田 圭市
NEC光・無線デバイス研究所
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徳島 正敏
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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石川 昌興
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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矢野 仁之
NECデバイスプラットフォーム研究所
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筒井 宏彰
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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古畑 直規
NEC光エレクトロニクス研究所
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山口 昌幸
NEC光エレクトロニクス研究所
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清水 淳一
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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河野 通久
NEC ULSIデバイス開発本部
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及川 洋一
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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厚母 敬生
NEC光エレクトロニクス研究所
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沼田 圭市
NEC伝送共通技術本部
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福知 清
システムプラットフォーム研究所
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清水 淳一
NEC化合物デバイス株式会社
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山口 昌幸
NEC化合物デバイス事業部
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石坂 政茂
NECナノエレクトロニクス研究所
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前多 正
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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沼田 圭市
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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藤井 正浩
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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徳島 正敏
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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和田 茂己
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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深石 宗生
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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石川 昌興
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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吉田 信秀
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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深石 宗生
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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大野 泰夫
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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樋田 光
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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矢野 仁之
NECマクロエレクトロニクス研究所
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樋田 光
NECマクロエレクトロニクス研究所
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前多 正
NECマクロエレクトロニクス研究所
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石坂 政茂
NEC光・超高周波デバイス研究所
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山口 昌幸
NEC光・超高周波デバイス研究所
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河野 通久
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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石坂 政茂
Necナノエレクトロニクス研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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松野 典朗
Necシステムデバイス研究所
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石坂 政茂
NECシステムプラットフォーム研究所
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堀 真一
NECデバイスプラットフォーム研究所
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石坂 政茂
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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前多 正
ルネサスエレクトロニクス(株)技術開発部
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狐塚 正樹
NECシステムIPコア研究所
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高橋 裕之
Nec光・無線デバイス研究所
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福知 清
Nec C&cメディア研究所
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堀 真一
NEC光・無線デバイス研究所
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矢野 仁之
NEC光・無線デバイス研究所
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松野 典朗
NEC光・無線デバイス研究所
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山瀬 知行
NEC光・無線デバイス研究所
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ウォーキントン ロバート
NEC光・無線デバイス研究所
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和田 茂己
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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深石 宋生
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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和田 茂己
NECマクロエレクトロニクス研究所
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徳島 正敏
NECマクロエレクトロニクス研究所
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深石 宋生
NECマクロエレクトロニクス研究所
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石川 昌興
NECマクロエレクトロニクス研究所
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松野 典明
NECマクロエレクトロニクス研究所
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吉田 信秀
NECマクロエレクトロニクス研究所
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藤井 正浩
NECマクロエレクトロニクス研究所
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福知 清
C&Cメディア研究所
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丹羽 隆樹
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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藤井 正浩
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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丹羽 隆樹
NEC化合物デバイス事業部
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狐塚 正樹
NECデバイスプラットフォーム研究所
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前多 正
NECデバイスプラットフォーム研究所
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森江 正夫
Nec C&cメデイア研究所
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渡邊 功
NEC光・超高周波デバイス研究所
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福島 淳
NEC化合物デバイス事業部
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松野 典朗
NECマクロエレクトロニクス研究所
著作論文
- 10 Gbps光伝送用ECL互換GaAs 8:1 MUX/1:8 DEMUX
- ECL互換GaAs HJFET 10Gbps 8:1 MUX/1:8 DEMUX
- C-12-15 負性ソースデジェネレーション抵抗 gm アンプを用いた超広帯域可変 CMOS Gm-C フィルタ
- 0.1μm Double-Deck-Shaped(DDS)ゲートE/D-HJFETを用いた28GHz/120mW動作GaAs256/258可変分周器IC
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- 27GHz/151mW動作GaAs256/258可変分周器IC
- 高速超低消費電力GaAs 256/258可変分周器IC
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- 2.4mW/16GHz GaAs疑似差動フリップフロップQD-FF
- 超低消費電力 2.4Gbps 8 : 1 MUX/ 1 : 8 DEMUX
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- 基板電位印加によるGaAsDCFL回路の温度変動補償
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- 0.1μm Double-Deck-Shaped (DDS)ゲート構造GaAs-HJFET
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- 低電圧駆動疑似差動型フリップフロップ : QD-FF(Quasi Differential switch Flip-Flop)
- 0.1μm Double-Deck-Shaped (DDS)ゲート構造GaAs-HJFET
- ソースドレイン領域選択成長pチャネルHJFETの試作と評価
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- C-12-48 ソフトウェア無線用広帯域可変リコンフィギュラブルアナログベースバンド(C-12.集積回路,一般セッション)
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- C-3-31 10Gbps光通信用プリアンプ内蔵超格子APDモジュール
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