高橋 裕之 | Nec光・無線デバイス研究所

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• 高橋 裕之

  Nec光・無線デバイス研究所

• 高橋 裕之

  Nec

• 國弘 和明

  東工大理

• 大野 泰夫

  徳島大学

• 国弘 和明

  Nec

• 大野 泰夫

  NEC光・無線デバイス研究所

• 大野 泰夫

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 国弘 和明

  NEC光・無線デバイス研究所

• 笠原 健資

  NEC光・無線デバイス研究所

• 国弘 和明

  東工大理

• 國弘 和明

  日本電気(株)

• 國弘 和明

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 國弘 和明

  日本電気株式会社システムipコア研究所

• 葛原 正明

  (財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター

• 中山 達峰

  NEC光・無線デバイス研究所

• 中山 達峰

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 国弘 和明

  日本電気(株)

• 國弘 和明

  日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所

• 葛原 正明

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 宮本 広信

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 安藤 裕二

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 羽山 信幸

  NEC光・無線デバイス研究所

• 松永 高治

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 羽山 信幸

  Nec

• 沼田 圭市

  NEC

• 松永 高治

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 笹岡 千秋

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 大久保 哲

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 笹岡 千秋

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• 国広 和明

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 松永 高治

  NEC光・無線デバイス研究所

• 葛原 正明

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• 宮本 広信

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• 松永 高治

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 宮本 広信

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 安藤 裕二

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 葛原 正明

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 堀 真一

  NEC光・無線デバイス研究所

• 前多 正

  NEC光・無線デバイス研究所

• 矢野 仁之

  NEC光・無線デバイス研究所

• 松野 典朗

  NEC光・無線デバイス研究所

• 沼田 圭市

  NEC光・無線デバイス研究所

• 吉田 信秀

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• 山瀬 知行

  NEC光・無線デバイス研究所

• ウォーキントン ロバート

  NEC光・無線デバイス研究所

• 樋田 光

  NEC光・無線デバイス研究所

• 矢野 仁之

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 吉田 信秀

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 樋田 光

  NECエレクトロニクス(株)

• 松野 典朗

  Necシステムデバイス研究所

• 堀 真一

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 樋田 光

  Necエレクトロニクス

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著作論文

• SC-7-11 AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波特性
• AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
• n-AlGaN/GaNにおける低温アニールTi/Alオーミックコンタクト
• SC-5-6 準ミリ波帯0.3μmマルチゲートフィンガーAlGaN/GaN HJFET
• C-10-20 AlGaN/GaN HJFETのマイクロ波電力特性
• 高出力GaAs MESFETの2端子破壊機構の解明とpバッファ層による耐圧向上
• AlGaN/GaN HJFETの作製と評価
• C-12-15 負性ソースデジェネレーション抵抗 gm アンプを用いた超広帯域可変 CMOS Gm-C フィルタ
• 移動体通信,通信 モバイルRFチップセットの開発 (半導体デバイス特集) -- (コミュニケーション関連デバイス)
• AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
• n-AlGaN/GaNにおける低温アニールTi/Alオーミックコンタクト
• 高出力GaAs MESFETの2端子破壊機構の解明とpバッファ層による耐圧向上
• 高出力GaAs MESFETの2端子破壊機構の解明とpバッファ層による耐圧向上
• AlGaN/GaN HJFETの作製と評価
• 周期バイアス用デバイスシミュレータを用いたGaAs MESFET大信号動作時の解析
• 周期バイアス用デバイスシミュレータを用いたGaAs MESFET大信号動作時の解析
• GaAsパワーFETにおけるドレイン耐圧変動機構の解明
• 周期バイアス用デバイスシミュレータを用いたGaAs MESFET大信号動作時の解析
• 周期バイアス用デバイスシミュレータを用いたGaAs MESFET大信号動作時の解析
• 埋め込みp層による高出力GaAs MESFETの2端子耐圧の向上
• 周期バイアス用デバイスシミュレータによるGaAs HJFETマーク率効果の解析
• 周期バイアス用デバイスシミュレータによるGaAs HJFETマーク率効果の解析
• 周期バイアス用デバイスシミュレータによるGaAs HJFETマーク率効果の解析
• 周期バイアス用デバイスシミュレータによるGaAs HJFETマーク率効果の解析

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