葛原 正明 | (財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
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概要
関連著者
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葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
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大野 泰夫
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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分島 影男
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富士 原明
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羽山 信幸
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モハマド マディヒアン
日本電気(株)C&C研究所
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水田 正志
Nec光・無線デバイス研究所
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葛原 正明
Nec
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葛原 正明
Neculsiデバイス開発研究所
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笠原 健資
NEC
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中山 達峰
NEC
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羽山 信幸
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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国弘 和明
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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岡本 康宏
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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笠原 健資
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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中山 達峰
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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大野 泰夫
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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松永 高治
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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安藤 裕二
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葛原 正明
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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松永 高治
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関西エレクトロニクス研究所
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安藤 裕二
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松永 高治
日本電気
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中山 連峰
(財)新機能素子研究開発協会
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三浦 郁雄
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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堀 恭子
Nec関西エレクトロニクス研究所
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麻埜 和則
NEC化合物デバイス事業部
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大野 泰夫
徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部
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ウォルタ コントラッタ
NEC関西エレクトロニクス研究所
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水田 正忠
光・超高周波デバイス研究所
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石倉 幸浩
NEC ULSIデバイス開発研究所
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高橋 英匡
NECULSIデバイス開発研究所
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井上 隆
NEC 光・無線デバイス研究所
-
岡本 康宏
NECナノエレクトロニクス研究所
-
安藤 裕二
NECナノエレクトロニクス研究所
著作論文
- 高電圧動作InGaPチャネルField-Modulating Plate FET
- 10-C-8 50V動作InGaPチャネルField-Modulating Plate MESFET
- C-10-6 L帯低歪み230W GaAs FP-HFFT
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
- 高信頼AlAs/InAs超格子挿入型InAlAs/InGaAs系HJFETの高周波特性
- InAlAs/InGaAs系HJFETのNs劣化メカニズム
- フィールドプレート付き高耐圧AlGaN/GaNヘテロ接合FETの評価
- フノールドプレート付き高耐圧AlGaN/GaNヘテロ接合FETの評価
- AlGaN/GaN HJFET における低抵抗コンタクト形成とK帯高出力特性
- AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波高出力特性
- 薄層サファイヤ基板上AlGaN/GaN HJFETの特性
- SC-7-11 AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波特性
- Sic基板上AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- n-AlGaN/GaNにおける低温アニールTi/Alオーミックコンタクト
- 高電圧動作AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波パワー特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 窒化物半導体高周波電子デバイスにおける最近の研究動向
- フィールドプレートを有する高耐圧・高出力AlGaN/GaNリセスゲートFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FETの現状と展望(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- GaN系高出力ヘテロ接合FET技術
- Ka帯2.3W出力AIGaN/GaNヘテロ接合FET
- Ka帯2.3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 短チャネルAlGaN/GaNヘテロ接合FETの高周波特性と遅延時間解析
- SC-6-8 SiC基板上のマイクロ波高出力AlGaN/GaN FET
- SiC基板上のL帯高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- Ka帯1.48W高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 薄層化サファイア基板上の110W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 薄層化サファイア基板上の15W出力AlGaN/GaN系ヘテロ接合FET
- C-10-7 SiN保護膜を有するAlGaN/GaN系高出力ヘテロ接合FET
- L帯100W高電圧動作FP-HFET
- 35V動作高出力FPFET
- 35V動作高出力FPFET
- 新構造GaAs高出力FPFET
- 高電圧動作AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波パワー特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- フィールドプレートを有する高耐圧・高出力AlGaN/GaNリセスゲートFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 60W出力AlGaN/GaNフィールドプレートFET
- 60W出力AlGaN/GaNフィールドプレートFET
- 22GHz帯高出力AlGaAs/InGaAs HJFET
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
- InGaPゲート埋込み構造を有するAlGaAs/InGaAsヘテロ接合FET
- L帯100W出力AlGaAs/GaAsヘテロ構造FET
- 衛星搭載用L帯低歪み高効率電力増幅器
- 衛星搭載用L帯高効率電力増幅器の低歪み化検討
- 衛星搭載用L帯高効率電力増幅器の低歪み化検討
- 衛星搭載用L帯高効率電力増幅器の低歪み化検討
- L帯60W AlGaAs/GaAsヘテロ構造FET
- 低熱抵抗L帯高出力GaAsMESFET
- S帯高効率30W電力増幅器
- 携帯電話基地局用L帯50W GaAs MESFET
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- n-AlGaN/GaNにおける低温アニールTi/Alオーミックコンタクト
- AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波高出力特性
- 薄層サファイヤ基板上AlGaN/GaN HJFETの特性
- ソース注入概念による60GHz帯ダウン及びアップコンバータMMIC
- 短チャネルAlGaN/GaNヘテロ接合FETの高周波特性と遅延時間解析
- SiC基板上のL帯高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- Ka帯1.48W高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 薄層化サファイア基板上の110W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 薄層化サファイア基板上の110W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 薄層化サファイア基板上の15W出力AlGaN/GaN系ヘテロ接合FET
- 高電圧動作InGaPチャネルField-Modulating Plate FET
- 高電圧動作InGaPチャネルField-Modulating Plate FET
- GaAs FETモンテカルロ・シミュレータを用いた大信号動作解析
- C-10-8 フィールドプレートを有する高電圧動作高出力HJFET
- GaAs MESFETにおける閾値電圧と歪の関係の物理シミュレーション
- GaAs MESFETにおける閾値電圧と歪の関係の物理シミュレーション
- SC-10-3 Interpretation of Microwave GaAs MESFET Output Admittance and Evaluation of Equivalent Circuit Models by Physical Simulation
- SC-10-3 Interpretation of Microwave GaAs MESFET Output Admittance and Evaluation of Equivalent Circuit Models by Physical Simulation
- 物理デバイスを組み込んだ回路シミュレーション
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