宮本 広信 | 財団法人新機能素子研究開発協会
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概要
関連著者
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宮本 広信
財団法人新機能素子研究開発協会
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宮本 広信
NEC
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井上 隆
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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財団法人新機能素子研究開発協会
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財団法人新機能素子研究開発協会
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財団法人新機能素子研究開発協会
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岡本 康宏
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財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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NEC関西エレクトロニクス研究所
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葛原 正明
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葛原 正明
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葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
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宮本 広信
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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葛原 正明
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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葛原 正明
Nec 関西エレクトロニクス研
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幡谷 耕二
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
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葛原 正明
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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松永 高治
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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幡谷 耕二
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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分島 彰男
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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村瀬 康裕
財団法人新機能素子研究開発協会
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山之口 勝己
財団法人新機能素子研究開発協会
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田能村 昌宏
財団法人新機能素子研究開発協会
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大田 一樹
財団法人新機能素子研究開発協会
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松永 高治
財団法人新機能素子研究開発協会
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分島 彰男
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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柴田 直樹
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスr&dセンター
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田能村 昌宏
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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千田 昌伸
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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平田 宏治
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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播谷 耕二
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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大田 一樹
Nec
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平田 宏治
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスr&dセンター
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大田 一樹
NECナノエレクトロニクス研究所
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村瀬 康裕
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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山之口 勝己
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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千田 昌伸
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスr&dセンター
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小嵜 正芳
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスr&dセンター
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松永 高治
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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岡本 康宏
財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
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安藤 裕二
財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
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幡谷 耕二
財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
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井上 隆
財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
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中山 達峰
財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
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宮本 広信
財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
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葛原 正明
財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
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松永 高治
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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松永 高治
日本電気株式会社システムipコア研究所
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松永 高治
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
著作論文
- CW 20W準ミリ波帯AlGaN/GaN-FET増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高電圧動作AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波パワー特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- フィールドプレートを有する高耐圧・高出力AlGaN/GaNリセスゲートFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 4.高出力マイクロ波デバイスとしての窒化ガリウムトランジスタ(ブロードバンド無線通信を支えるマイクロ波ミリ波技術)
- 高電圧動作AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波パワー特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- フィールドプレートを有する高耐圧・高出力AlGaN/GaNリセスゲートFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- CW 20W準ミリ波帯AlGaN/GaN-FET増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)