高電圧動作AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波パワー特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
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概要
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本論文ではマイクロ波パワー応用に向けたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ開発の現状について報告する。L帯の高出力素子としてフィールドプレート付きリセスゲートFETを開発した。48mm素子の2GHzにおける49V動作にて飽和出力203W、電力付加効率67%、線形利得lO.1dBを得た。Ka帯の高出力素子としてレイアウトを改善した0.25μmゲートFETを作製した.1mm素子の30GHzにおける30V動作にて飽和出力5.8W、電力付加効率43%、線形利得9.2dBを得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-24
著者
-
井上 隆
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会
-
岡本 康宏
財団法人新機能素子研究開発協会
-
安藤 裕二
財団法人新機能素子研究開発協会
-
宮本 広信
財団法人新機能素子研究開発協会
-
葛原 正明
NEC光・無線デバイス研究所
-
葛原 正明
ULSIデバイス開発研究所
-
葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
-
柴田 直樹
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスr&dセンター
-
宮本 広信
NEC
-
安藤 裕二
NEC
-
岡本 康宏
NEC
-
宮本 広信
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
幡谷 耕二
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
-
千田 昌伸
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
-
平田 宏治
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
-
小嵜 正芳
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
-
葛原 正明
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
-
平田 宏治
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスr&dセンター
-
葛原 正明
Nec 関西エレクトロニクス研
-
千田 昌伸
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスr&dセンター
-
幡谷 耕二
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
-
小嵜 正芳
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスr&dセンター
-
葛原 正明
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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