携帯電話基地局用L帯50W GaAs MESFET
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概要
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飽和出力として53.7W、線形利得13.1dB、最大ドレイン効率57%(Freq=1.5GHz, VDS=10V, setIDS=3%I_<DSS>)を有するL帯50W GaAs MESFETを開発した。開発にあたっては、FETチップの構造最適化を行うとともに、B級プッシュプル回路方式の採用することにより、高出力・高効率・低歪みでかつ広帯域化を達成した。今回開発したPoFETは、ディジタル携帯電話基地局増幅器の高性能化に寄与することが期待される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-01-24
著者
-
葛原 正明
ULSIデバイス開発研究所
-
葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
-
葛原 正明
日本電気
-
麻埜 和則
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
森川 純子
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
小野 文伸
日本電気株式会社個別半導体事業本部化合物デバイス事業部化合物半導体部
-
新宮 善蔵
日本電気株式会社個別半導体事業本部化合物デバイス事業部化合物半導体部
-
麻埜 和則
ULSIデバイス開発研究所化合物開発部
-
森川 純子
ULSIデバイス開発研究所化合物開発部
-
江森 文章
日本電気株式会社個別半導体事業本部化合物デバイス事業部化合物半導体部
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