超小型3.4 V動作PDC用1W MMICパワーアンプ
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概要
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デジタル携帯電話(PDC)の小型軽量化のために, パワーアンプの小型化, 低電圧動作化が強く求められている。我々はこれまで, ダブルドープダブルヘテロ構造を持つヘテロ接合FET(HJFET)の開発を継続しており, 0.2 V動作においてて50 kHz離調隣接チャネル漏洩電力(P_<adj>)=-50.5 dBc時に出力(P_<out>)1.0 W, 電力付加効率(PAE)51.5%を得ている。一方, 20 GHzまで比誘電率(ε_r)200を持つSrTiO_3(STO)キャパシタも開発した。今回これらの要素技術を統合し, 超小型PDC用MMICパワーアンプを開発したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
山口 佳子
Nec関西エレクトロニクス研究所
-
宮坂 洋一
NEC基礎研究所
-
岩田 直高
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
西村 武史
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
葛原 正明
日本電気
-
西村 武史
Nec化合物デバイス事業部
-
竹村 浩一
NEC基礎研究所
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