SBT薄膜の強誘電性の温度依存性
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概要
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SrBi_2Ta_2O_9(SBT)薄膜の強誘電特性の温度特性をSBT薄膜の組成依存性の観点から検討した。残留分極(Pr)はストイキオメトリ組成からSrを20%欠損させ、Biを10%過剰にした試料(Sr/Bi/Ta=0.8/2.2/2)でもっとも大きかった。Prは温度の上昇と共に減少するが、Sr20%欠損試料ではその減少割合が小さかった。これはSr欠損試料でキュリー点(Tc)が比較的高く抗電界も比較的大きいためと考えられる。単極性パルスの連続印加によるインプリント特性を測定したところ、やはりSr20%欠損試料でインプリント耐性が高いことが示された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-03-13
著者
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