宮坂 洋一 | NEC基礎研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
宮坂 洋一
NEC基礎研究所
-
竹村 浩一
NEC基礎研究所
-
山口 佳子
Nec関西エレクトロニクス研究所
-
西村 武史
Nec化合物デバイス事業部
-
富田 正俊
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
岩田 直高
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
西村 武史
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
-
山田 淳一
Necエレクトロニクス株式会社第二開発事業本部第四システムlsi事業部
-
小池 洋紀
NECエレクトロニクス株式会社第二開発事業本部第四システムLSI事業部
-
豊島 秀雄
NECエレクトロニクス株式会社生産事業本部先端プロセス事業部
-
小池 洋紀
NECシリコンシステム研究所
-
三輪 達
NECシリコンシステム研究所
-
山田 淳一
NECシリコンシステム研究所
-
豊島 秀雄
NECシリコンシステム研究所
-
波田 博光
NECシリコンシステム研究所
-
國尾 武光
NECシリコンシステム研究所
-
岡本 祐治
NECアイシーマイコンシステムマイクロコンピュータ第一開発部
-
林 喜宏
NECシリコンシステム研究所
-
沖崎 宏明
NECマイクロコンピュータ事業部
-
宮本 秀信
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
五味 秀樹
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
北島 洋
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
山田 純一
日本電気(株)
-
宮坂 洋一
NEC 基礎研究所
-
國尾 武光
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
-
波田 博光
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
-
長谷 卓
NEC基礎研究所
-
林 喜宏
Necエレクトロニクス Lsi基礎開研
-
宮坂 洋一
Nec 基礎研
-
宮本 秀信
Nec
-
西村 武史
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
岩田 直高
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
山口 佳子
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
富田 正俊
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
竹村 浩一
NEC 基礎研究所
-
葛原 正明
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
葛原 正明
日本電気
-
佐久間 敏幸
日本電気(株)
-
佐久間 敏幸
NEC 基礎研究所
-
竹内 常雄
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
斉藤 忍
NECシステムデバイス研究所
-
中島 務
日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所 超高集積回路研究部
-
松木 武雄
Necマイクロエレクトロニクス研究所
-
田辺 伸広
NECエレクトロニクス株式会社生産事業本部先端プロセス事業部
-
小林 壮太
NEC
-
天沼 一志
NECシリコンシステム研究所
-
前島 幸彦
NECシリコンシステム研究所
-
尾藤 康則
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
尾藤 康則
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
國尾 武光
Necマイクロエレクトロニクス研究所
-
斎藤 忍
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
-
薮田 久人
キャノン先端融合研
-
林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
-
田辺 伸広
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
斉藤 忍
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
竹内 常雄
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
小林 壮太
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
前島 幸彦
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
中島 務
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
林 喜宏
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
天沼 一志
NEC基礎研究所
-
平田 和男
日電アネルバ(株)
-
宮坂 洋一
日本電気(株)基礎研究所材料研究部
-
長谷 卓
NECシステムデバイス研究所
-
細川 直吉
日電アネルバ株式会社
-
細川 直吉
アネルバ株式会社
-
野口 健宏
NEC基礎研究所
-
吉田 政次
日本電気(株)
-
有田 幸司
日本電気(株)
-
藪田 久人
日本電気(株)
-
曽祢 修次
日本電気(株)
-
山道 新太郎
日本電気(株)
-
竹村 浩一
日本電気(株)
-
加藤 芳健
日本電気(株)
-
飯塚 敏洋
日本電気(株)
-
山口 弘
日本電気(株)
-
LESAICHERRE Pierre-Yves
日本電気(株)
-
西本 昭三
日本電気(株)
-
長谷 卓
NEC 基礎研究所
-
藪田 久人
広大総合科
-
薮田 久人
広大総合科
-
山口 弘
Nec基礎研究所
-
曽祢 修次
NEC基礎研究所
-
加藤 芳健
NEC基礎研究所
-
藪田 久人
広大・総合科
-
林 喜宏
Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所
-
細川 直吉
日電アネルバ
著作論文
- スマートカードマイクロコントローラに適した256Byte FeRAMマクロセル
- 単一電源動作CDMA用MMICパワーアンプ
- ビット線上に容量を配置した強誘電体メモリセル構造(F-COB)
- スマートカードマイクロコントローラに適した256Byte FeRAMマクロセル
- スマートカードマイクロコントローラに適した256Byte FeRAMマクロセル
- SBT薄膜の強誘電性の温度依存性
- SrTiO_3キャパシタ搭載3.5V動作W-CDMA用MMICアンプ
- STOキャパシタを用いた低電圧動作移動体通信用MMICパワーアンプ
- STOキャパシタを用いた低電圧動作移動体通信用MMICパワーアンプ
- STOキャパシタを用いた低電圧動作移動体通信用MMICパワーアンプ
- 3.5V動作高劾率CDMA用MMICパワーアンプ
- 単一2.2V動作STOキャパシタ搭載WLAN用MMICパワーアンプ
- 超小型3.4 V動作PDC用1W MMICパワーアンプ
- ギガビットDRAM用のECRプラズマCVD-(Ba, Sr)TiO_3容量膜
- マルチターゲットスパッタ法による Pb(Zr,Ti)O_3 強誘電体薄膜の作製とその評価