山口 佳子 | Nec関西エレクトロニクス研究所

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• 山口 佳子

  Nec関西エレクトロニクス研究所

• 富田 正俊

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 岩田 直高

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 葛原 正明

  日本電気

• 西村 武史

  Nec化合物デバイス事業部

• 宮坂 洋一

  NEC基礎研究所

• 竹村 浩一

  NEC基礎研究所

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  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 山口 佳子

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

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  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 富田 正俊

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 尾藤 康則

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 西村 武史

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 葛原 正明

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 葛原 正明

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 尾藤 康則

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 竹村 浩一

  NEC 基礎研究所

• 宮坂 洋一

  NEC 基礎研究所

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  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 葛原 正明

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 宮坂 洋一

  Nec 基礎研

• 長谷川 安昭

  NEC化合物デバイス事業部

• 葛原 正明

  Nec 関西エレクトロニクス研

• 尾藤 康則

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 葛原 正明

  ULSIデバイス開発研究所

• 金森 幹夫

  Nec Ulsiデバイス開研

• 及川 洋一

  ULSIデバイス開発研究所

• 金森 幹夫

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 長谷川 安昭

  NEC 化合物デバイス事業部

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  NEC 化合物デバイス事業部

• 伊東 朋弘

  NEC 化合物デバイス事業部

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著作論文

• 単一電源動作CDMA用MMICパワーアンプ
• 単一3.4V動作PDC用ヘテロ接合FET
• 低電圧動作PDC用小型高出力ヘテロ接合FET
• 3.4Vデジタル携帯電話用の超小型高出力ヘテロ接合FET
• ゲート幅7mmの3.4V動作PDC用高出力ヘテロ接合FET
• SrTiO_3キャパシタ搭載3.5V動作W-CDMA用MMICアンプ
• STOキャパシタを用いた低電圧動作移動体通信用MMICパワーアンプ
• STOキャパシタを用いた低電圧動作移動体通信用MMICパワーアンプ
• STOキャパシタを用いた低電圧動作移動体通信用MMICパワーアンプ
• 3.5V動作高劾率CDMA用MMICパワーアンプ
• 単一2.2V動作STOキャパシタ搭載WLAN用MMICパワーアンプ
• 超小型3.4 V動作PDC用1W MMICパワーアンプ
• HJ-FETを用いた3.4V,1.5GHz帯 デジタルセルラー用Multi-Chip ICモジュール
• 50%高効率3.5V動作CDMA用1W高出力ヘテロ接合FET
• NiMH電池1本で動作するPDC用パワーヘテロ接合FET
• NiMH電池1本で動作するPDC用パワーヘテロ接合FET
• NiMH電池1本で動作する1.1Wヘテロ接合FET
• 移動体通信用1.2V動作1.1Wヘテロ接合FET
• 3.4V動作国内ディジタル携帯電話用パワ-アンプMCIC MC-7620/MC-7621 (半導体デバイス特集) -- (コミュニケ-ション系システム用デバイス)

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