NiMH電池1本で動作するPDC用パワーヘテロ接合FET
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概要
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0.8μm長オフセットゲートを有する高出力ダブルドープダブルヘテロ接合FETを試作検討した。最大ドレイン電流は640mA/mm,相互コンダクタンスは340mS/mm,最大ドレイン電流を与えるI-Vカーブの線形領域の傾きから求めたオン抵抗は2.12Ωmmである。950MHzのπ/4シフトQPSK信号を用いた評価より、ゲート幅38.5mmの素子は、-49.3dBcの50kHz離調隣接チャネル漏洩電力時に1.15Wの出力と39%の電力付加効率を1.2V動作時に達成した。この良好な低電圧PDC特性は、高い最大ドレイン電流と、ゲート-ソース間のリセス間隔の短縮により、低い実効knee電圧を実現できたことによる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-06-21
著者
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