InAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FET用高信頼オーミック電極
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概要
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熱的安定性に優れたInAlAs, InGaAs系ヘテロ接合FET用オーミック電極の開発を行った。高融点金属であるMo(モリブデン)を用いたMo/Ti/Pt/Auノンアロイオーミック電極はAuGe/Ni/Auアロイオーミック電極やTi/Pt/Auノンアロイオーミック電極と同等の良好なコンタクト抵抗(Rc0.05Ωmm)を示すことが確認できた。これらの電極の熱的安定性を調べたところ、AuGe/Ni/Au電極とTi/Pt/Au電極は350℃以下の熱処理でコンタクト抵抗が劣化したが、Mo/Ti/Pt/Au電極では特性の劣化は起こらなかった。オージェ電子分光分析の結果から、Ti/Pt/Au電極の劣化要因である相互拡散がMoの挿入により抑制されていることが確認できた。以上から、Mo/Ti/Pt/Auノンアロイオーミック電極がInAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FETの高信頼化に有望であると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-11-19
著者
-
葛原 正明
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
佐本 典彦
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
恩田 和彦
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
宮本 広信
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
佐本 典彦
日本電気株式会社関西エレクトロニクス研究所
-
恩田 和彦
日本電気株式会社化合物デバイス事業部
-
水木 恵美子
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
佐本 典彦
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
水木 恵美子
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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