BS用マイクロ波デバイスとその応用 : HJ-FETとGaAs FETの開発動向とその応用例 : 無線技術
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概要
著者
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佐本 典彦
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
恩田 和彦
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
山口 由紀子
日本電気(株)化合物デバイス事業部化合物半導体部
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藤田 宣行
日本電気(株)半導体応用技術本部汎用テバイス技術部
-
宮垣 克則
日本電気(株)半導体応用技術本部汎用テバイス技術部
-
塩崎 修
日本電気(株)化合物デバイス事業部化合物半導体部
-
斎藤 昭
日本電気(株)化合物デバイス事業部化合物半導体部
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徳江 達夫
日本電気(株)化合物デバイス事業部化合物半導体部
-
伊東 朋弘
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所超高速デバイス研究部
-
佐本 典彦
日本電気株式会社関西エレクトロニクス研究所
-
恩田 和彦
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所超高速デバイス研究部
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佐本 典彦
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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佐本 典彦
日本電気(株) 関西エレクトロニクス研究所
-
伊東 朋弘
日本電気 マイクロエレクトロニクス研
-
徳江 達夫
日本電気
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